日媒:麒麟9000S为14nm工艺,中国芯片仍不具备7nm量产能力

近日,日本媒体公布了麒麟9000S芯片的一些秘密,称华为的麒麟9000S芯片为14nm工艺,并非外界传闻的7nm。华为利用特殊架构,提升了晶体管密度,最终实现了接近于7nm工艺的性能。

看到这,我就气不打一处来,你主子都不敢说是14nm,你来说,这是上赶着打脸挨打逼斗吗?

既然这样,我们就分析一下,看我如何打脸日本。

咱们先来了解一下什么是工艺制程。

我们天天说14nm、7nm、5nm,它到底是什么呢?

我们知道芯片的基本单位就是晶体管,晶体管由源极(Source)、漏极(drain)和栅极(gate)组成,而工艺制程就是源极到漏极的沟道长度。

但是,当制程到了22nm之后,短沟道效应问题越来越明显,已经无法控制电子跃迁,怎么办呢?研发新工艺。

于是FinFET技术就出现了,它有效的控制了电子跃迁,使得摩尔定律得以延续,但是它存在一个问题,就是沟道长度很难测量,为了降低难度、易于观察,干脆就把栅极长度作为工艺制程的参考标准。

也就是说,现在的工艺制程已经不标准了,只是一个近似值。

夸张的是,这个近似值随着制程的降低,偏差会越来越大。

2000年之前,从60nm迭代至180nm,制程节点每缩小0.7倍时,芯片上晶体管数量都会增加2倍。

到了2000年之后,130nm迭代至45nm工艺,制程节点缩小0.72倍时,芯片上的晶体管数量才能达到之前的2倍。

到了14nm以下的工艺制程,这个水分就更大了。

台积电的7nm工艺,也就相当于英特尔的10nm,因为两者的晶体管密度和性能差不多,属于一代产品。

但是鸡贼的台积电通过命名,改变了这个竞争格局,让大家误以为台积电工艺领先对手几代。

难怪英特尔高管怒斥台积电不讲武德。

这就好比卖酒,都在标着5年、10年,消费者误以为是窖藏了5年、10年的酒,高高兴兴的买回去喝,还喝朋友们吹,你看我这10年好喝吧!

实际上5年也就窖藏了3年,10年也就窖藏了6年。如果卖的好,5年干脆不窖藏了,直接卖,10年呢,窖藏上两三年也就拿出来卖。有钱不赚王八蛋!

可以想象台积电最先进的3nm、4nm工艺,水分有多少,估计52度的酒都能掺成38度,要是到了1nm,那真的是白酒能掺成啤酒。

所以说,现在手机上使用的芯片,根本就达不到4nm、5nm标准,这也是为什么芯片大厂喜欢挤牙膏,因为越到后面技术升级的难度越大,耗费的资金越多。

海外芯片企业工艺掺水、挤牙膏可以,中国芯片企业就不行?你这是欺负谁呢?欺负我们没在广岛、长崎放烟花。

当年美国放了两个烟花之后,日本直接宣布投降,日本女孩排着队的服务美国大兵。真是让人羡慕嫉妒恨。

当然,我国一向主张和平发展,轻易不会在富士山放烟花,不过你要一直来挑逗,来打我啊、打我啊!那我们也可以满足你这个变态的需求。

华为的麒麟9000S发布后,可以说震惊了芯片领域,于是多位博主玩起了拆芯片游戏,我是头一次见,几千块、上万块买一台手机,就为了拆着玩,您如果不用的话,捐给贫困山区吧!

一边拆着华为的手机和芯片,一边赚着国人的流量,说实话我不喜欢。

大家想出名,想当网红,想赚钱,可以理解,但是不要为了点流量,去浪费。我国有14亿人口,但是年收入达到10万的家庭只有1.4亿户,能够攒下10万的家庭仅有3300万户。

你轻轻松松的就把一台价值6999元的华为Mate 60Pro拆解了,这种潇洒与霸气,与海拔4000米,零下20度,早餐吃着冰碴子,爬十几公里去上学的贫困儿童相比,多少有点突兀吧!

麒麟9000S拆解完了,芯片专家最终发现了一个问题:麒麟9000S未采用任何美国技术,它采用了一种全新的,从未有过的技术。

华为芯片换赛道了,高通、苹果、台积电、三星、英特尔把原来的赛道全占了,华为只能另寻他路,结果找到了一条康庄大道。

最要命的是,芯片拆解完了,也没有找到代工厂商,开始说是台积电,后来说是中芯国际,甚至把英特尔都牵扯进来了。

最搞笑的是,鸿星尔克、金丝猴发表声明,公司不是华为麒麟9000S的代工厂商。

这下急坏了美国、日本、荷兰。可不能让中国芯片发展起来啊,要不然咱们得好日子就过完了。

开始想尽一切办法限制中国芯片崛起,限制半导体设备出口,限制半导体材料出口,限制英伟达供货先进的AI芯片。

并且美国的工业安全局计划提高预算,以阻止敏感技术进入中国和俄罗斯。

日本虽然实力不足,但是可以充当搅屎棍的角色,通过媒体发声,称华为麒麟9000S不是7nm工艺,是14nm工艺,只是通过某种技术提高了性能而已。

说实话,哪家公司研发芯片不是为了使用,只要能够达到性能要求,能够满足需求就是好的芯片。

你对外宣称5nm、4nm,结果一使用,温度都干到76℃,这能行吗?所以,产品不能总看广告,还要看疗效。

更何况,华为的麒麟9000S的国产度非常高,采用了纯国产工艺+国产处理器架构+国产“自研4.99999G基带”(5G超快网速)+国产制造。

这要是放在股票市场上就是“地天板”,其他的玩家看了能不嫉妒恨吗?

这款芯片与鸿蒙系统配合在一起,真是相得益彰,长处更能显现,短板几乎消失不见。整体使用效果超过了iPhone15。

按照这种速度发展下去,下一步就是取代日本的半导体材料地位。

根据研究机构统计,目前全球必需的9种半导体材料,日本有14种达到了50%的市场占有率,并且垄断了EUV光刻胶。

这就是日本在半导体领域最大的优势,也是唯一的优势。

不要说尼康的光刻机那都是过去式了,很快国产光刻机就出来了,超越尼康是分分钟的事。再说我们的目标不是尼康,是荷兰ASML。

对于日本,我们要做的就是在半导体材料上击败它,尤其是要实现EUV光刻胶的逆袭,将日本彻底从芯片领域踢出去。

这需要我们全国上下共同的努力,不仅需要科研院所中科院、清华大学,产业公司沪硅产业、南大光电等的努力,也需要你我这样的消费者。

大家共同支持国产芯片,才能披荆斩棘,实现逆袭超越。


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页面更新:2024-05-06

标签:三星   麒麟   芯片   华为   光刻   英特尔   工艺   晶体管   量产   日本   美国   中国   能力

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