绕过EUV光刻机造出2nm芯片！ASML没想到，反击这么快就来了

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四年前，华为在科技领域的崛起对美科技巨头造成了极大的威胁，于是美国发动了针对中国半导体企业的严厉制裁。台积电切断了麒麟芯片的制造，富士康也选择背刺华为，不再代工华为手机。

作为全球最大的光刻机制造企业，ASML如今的市场地位是美国一手扶持起来的，ASML用到了大量的美国技术，因此说它是美国的“干儿子”也不为过。在华为禁令公布后，ASML的EUV光刻机也无法出口中国。至此，美国彻底将中国大陆半导体制造工艺锁死在了28nm！

事情反转，ASML地位难保

美国制裁之初，我们技术人员赴荷兰参观ASML设备时，其技术人员大放厥词：“我就算把图纸给你，你也造不出高端光刻机”！然而，仅仅过了4年的时间，麒麟9000S横空出世，它采用了“美国人很陌生”的国产7nm工艺制造，而且实现了大规模量产。此时ASML的CEO后悔不已：“我们太自大了，中国人太聪明了，我们不共享技术早晚被他们研究出来”！

事实上，在华为还未官宣突破之前，ASML似乎得到了内部消息一般，疯狂的示好中国，并一直试图向中国大量出货DUV光刻机。根据ASML的最新财报来看，2023年第三季度ASML达到了46%，而第一季度和第二季度占比分别是8%和24%，可见ASML正在拼尽全力向大陆出货DUV光刻机。

但是如今的ASML在光刻机市场的地位正在面临巨大的挑战，首先在无法得到ASML EUV光刻机的前提下，采用国产7nm麒麟9000S芯片的华为Mate60 Pro，日常体验完全可以媲美搭载3nm A17 Pro芯片的iPhone 15 Pro。

而且华为已将Mate60的订单量增加至1500万-1700万台，到现在依然一机难求，整个销售周期的销量预计将达到5000万台。反观iPhone15系列刚上市没多久，已经出现了大幅度的跳水。

而且根据多家媒体爆料，明年华为将发布超旗舰10系芯片和9系旗舰芯片，将采用3D堆叠工艺，其理论性能将会追上高通和苹果。这意味着我们完全可以不借助ASML的EUV光刻机，制造出世界上最顶级的芯片。ASML的地位，明年恐怕彻底保不住了！

押注NIL工艺，绕过EUV造2nm芯片

除了大陆之外，荷兰ASML还面临着来自日本光刻机厂商的威胁。回顾一下ASML的成长史，就会发现ASML的成功其实是“美日半导体竞争”中，美国获胜的结果。

当时美国成立了EUV LLC联盟，ASML取代尼康成为唯一一家参与研发EUV技术的国外企业。从此日本半导体巨头尼康和佳能就彻底无法使用EUV技术，ASML自然而然成为光刻机行业老大。

但是尼康和佳能并没有选择放弃，佳能选择全力押注NIL纳米压印光刻机技术。从目前佳能的种种动作来看，NIL技术还真的“赌赢了”。传统的光刻技术相当于投影，把微电路图案投影到晶圆上。而NIL纳米压印就相当于盖章，将带有微电路图案的掩模直接印在晶圆抗蚀剂上。

日本一直将其作为“下一代光刻机技术”，佳能从2004年开始秘密研发NIL技术，直到2014年才被公开。NIL技术功耗更低、成本更低且污染更小，但是制程方面不如EUV技术。

但是就在前几天，佳能终于憋出了大招，发布了一款型号为FPA-1200NZ2C的NIL半导体制造设备。佳能表示这款设备可以制造最小线宽为14nm的图案，等效5nm工艺。而且在改进掩模之后，将可以制造2nm芯片！

而且佳能的NIL技术已经得到了芯片厂商的验证，铠侠15nm NAND存储芯片就是采用的NIL工艺，铠侠表示计划在2025年利用NIL的5nm工艺制造存储芯片。今年SK海力士也引进了佳能NIL半导体设备，计划在2025年利用该设备量产3D存储芯片。

更重要的是，佳能的NIL设备并包含美国技术，美国根本无法限制对中国大陆的出口。我们完全可以借助佳能NIL技术制造高端芯片，ASML完全可以被抛弃！

所以这也就解释了，为什么ASML第一个“反水”，并且疯狂向大陆出货了。不只是ASML，麒麟芯片回归之后，苹果、高通、英伟达、英特尔等美科技企业都将遭遇严重打击，过不了多久，美科技霸权将会被我们彻底终结！