我国科学家在类脑芯片领域取得新进展

来源:中国日报网

记者从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队孙方稳课题组和国家同步辐射实验室/核科学技术学院邹崇文课题组合作，制备了基于二氧化钒（VO2）相变薄膜的类脑神经元器件，并利用金刚石中氮-空位（NV）色心作为固态自旋量子传感器探测了神经元突触在外部刺激下的动态连接，展示了类脑神经系统中多通道信号传递和处理过程。这项研究成果近日在国际学术期刊《科学进展》（Science Advances）发表。