湖北：加快突破超高层三维闪存工艺、Chiplet等关键技术

“中国光谷”公众号消息，近日湖北省政府发布关于印发加快“世界光谷”建设行动计划的通知（以下简称“通知”）。

“通知”提出要紧跟全球光电子产业发展趋势，充分发挥东湖高新区技术领先优势，保持战略定力，以芯片为核心，重点发力存储器芯片、三维集成、化合物半导体、硅光芯片等领域，加强产业关键核心环节重大技术突破与原始创新，推动优势领域率先突围。

存储器芯片、三维集成、化合物半导体和硅光芯片。以国家存储器基地为重点发展存储器芯片，加速关键设备、基础原材料、核心零部件国产替代进程，逐步建立自主可控的产业链、供应链体系，促进国内半导体制造水平整体提升，加快建设“世界存储之都”；以三维集成为基础布局车规级芯片、传感芯片等领域，突破先进制程，构筑三维集成全球制造高地；加快布局氧化镓、碳化硅等新一代半导体，推动创新链与产业链协同发展，打造全球化合物半导体创新中心；发挥硅基半导体和光电子核心优势，超前布局硅光芯片，抢占硅光一体化、光电一体化等新赛道，打造国际领先的硅光芯片创新平台。

“通知”还提出要发挥光电子信息核心领域引领带动作用，加快培育和完善集成电路、光通信、新型显示、激光、光电传感、智能终端、软件及信息服务、数字健康、智能网联汽车、数字建造等细分产业链条，形成在全国乃至全球具有话语权的产业板块，塑造更多发展优势，汇聚形成具有全球竞争力的光电子信息产业链。

集成电路板块。以存储器芯片、三维集成、化合物半导体和硅光芯片为引领，重点发力中游制造环节，加快突破超高层三维闪存工艺、绝缘体上硅（SOI）芯片制造工艺、晶粒（Chiplet）集成技术、存算一体芯片等关键技术；补齐上游芯片设计、基础材料、设备等关键配套短板，推动芯片设计工具（EDA）和知识产权（IP）核开发企业、芯片设计企业、芯片制造企业等上下游企业建立协同攻关机制，加大力度支持国产关键装备与材料的核心技术攻关，推进国产替代进程；突破下游先进封装及测试技术，提升封装测试本土化率，打造以芯片制造为引领，设计、封装测试为支撑，设备、材料为配套的完整、安全、强韧集成电路产业。