国产光刻机获突破，能生产7nm芯片？专家：要认清现实！

它被誉为“芯片产业皇冠上的明珠”，制造芯片不可或缺的设备，也是我国迫切需要的设备，这就是光刻机！其实我国50多年前就展开了对光刻机的研发工作，但由于为了追求经济快速发展，快速抢占市场，许多企业走出了“贸工技”路线，先做生意，后做技术。到头来许多企业只顾生意，没了技术。这让西方在光刻机、芯片制造领域筑起了森严的技术壁垒！

随着中西“科技战”打响，老美对国产半导体行业层层加码，我国也开始大力扶持国内芯片行业，所以这两年每隔一段时间就会传出关于国产光刻机的捷报。

国产光刻机技术获突破

这段时间，光刻机市场迎来了新动向，哈工大仪器学院胡鹏程教授团队研制出了 “高速超精密激光干涉仪”，并且获得首届金燧奖”中国光电仪器品牌榜金奖。据悉，该激光干涉仪可用于350nm到28nm工艺的光刻机样机集成研制和性能测试。

光刻机核心系统主要包括物镜、光源和双工件台，在物镜、双工件台方面，我国已取得了重大突破，尤其是华卓精科的双工件台，已经达到了ASML的高端光刻机的标准，但在光源还需要进一步突破，比如某电子光刻机迟迟没有交付，业内传出消息，就是在光源方面被卡住了脖子，目前正在与国内激光企业共同解决！所以光源的突破也被许多人认为是国产光刻机的最后一款拼图！

此事引起了不少网友的点赞，还有各路媒体的自嗨，认为既然能有28nm的精度，多次曝光后可以实现7nm工艺芯片的量产！真是如此吗？

专家：认清现实

其实国内企业通过不同方式解决高端芯片生产被卡脖子的问题，并没有错，但目前许多技术还处于“实验室”阶段，从实验室走到市场，从小范围走向大范围，让科技成果转化为经济成果，确实需要一个过程。

近期，中科院副院长，中国半导体研究所研究员联合发表了一篇名为《加强半导体基础能力建设，点亮半导体自立自强发展的“灯塔”》的文章，文章指出，国内许多人认为，中企可以通过购买西方企业在EDA等方面的研究成果，没有半导体基础也可以快速发展半导体产业。但如今老美在多领域开始断供，犹如拧灭了“灯塔”，我们进入“黑暗森林”！

这里并不是指“我们都是带着枪的猎人”，而是四处无光，找不到方向！众所周知，芯片产业链并不只有光刻机这么一种设备。设计方面有芯片架构、EDA工具；制造方面有光刻、蚀刻、蚀刻等各种设备；材料方面又包含了大量的化学试剂、惰性气体、掩膜版等。尤其是半导体基础物理领域，我们还面临着“技术匮乏”的局面。举个简单的例子，晶体管技术。

目前高端芯片的生产，绝大多数用的是FinFET晶体管技术，也叫鳍式场效应晶体管，发明该技术的人叫胡正明，出生于中国北京，目前是美籍华人，加州大学伯克利分校杰出讲座教授。而FinFET又有上万件技术专利，其中很大一部分核心专利是半导体物理基础研究得出来的成果。最新的GAA晶体管技术领域，三星有着21%左右的专利占比，台积电专利占比有32%左右。即便是用于生产芯片的12英寸硅晶圆，我国绝大多数还是依赖进口。

也就是说，在半导体领域，我们并没有扎好根，基础并不牢固！想要在短时间内超车，赶上甚至超越西方发达国家数十年的技术积累，并不容易！2021年北大国发院名誉院长林毅夫在中国企业未来发展论坛上表示：“不卖给中国光刻机，大概3年后中国就能掌握！眼看三年时间快过完了，现实却依旧很残酷。

核心技术需要一步一个脚印

简单来说，我国在关键领域所取得的突破是真，但制造7nm甚至5nm工艺芯片是假。但这并不意味着我们没有机会，需要弥补半导体领域许多历史旧账，尤其是在物理基础研究方面，这或许要通过行政手段，通过培养、引进、稳步一批长期从事半导体物理研究的人才，推动“产学研”深度融合，建立有效的科技成果收益分享机制，让科研成果有市场，科研人员有回报。让人感到欣慰的是，其实在这方面，国资委已经开始出手了！

在半导体领域，为避免下一个时代重蹈传统芯片时代覆辙，一方面不妨从基础的Krf、L线光刻机入手，真正吃透芯片制造、晶体管技术；另一方面着手下一代半导体制造技术，材料和相关设备。

行业内有这样一句话，集成电路从来没有“弯道超车”，想要实现5nm，必须吃透7nm、6nm等更成熟的工艺！想要缩小与西方企业的差距、打破技术壁垒，就得深耕，没有捷径！

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