（报告出品方/作者：中邮证券，刘卓、陈基赟）

1 钙钛矿：第三代太阳能电池，商业化进程有望提速

1.1 钙钛矿为第三代太阳能电池，发展前景广阔

钙钛矿太阳能电池是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体（具有 ABX3 的 化学通式）作为吸光材料的太阳能电池。钙钛矿结构的化学通式为 ABX3，其中 A 位一般为原子半径较小的阳离子（如 Cs+、MA+、FA+等），B 位为原子半径较大的过 渡金属离子（如 Sn2+、Pb2+等），X 为卤素阴离子（I -、Br-、Cl-等）。钙钛矿材料拥 有优越的电荷传输性质、长载流子扩散距离、全光谱吸收和高吸光系数，因而可 以有效吸收太阳光并高效地产生光生载流子,同时减少在光电转换过程中的能量 损失，是较为理想的光电材料。

当前常用的高效率的钙钛矿太阳能电池的结构通常是以透明导电玻璃作为 基底，再是电子传输层（ETL）、钙钛矿吸光层、空穴传输层（HTL）、金属电极。 虽然钙钛矿电池可分为正式、反式；介孔、平面等多种结构，但是其工作原理是 一致的：当钙钛矿吸光层受到光照后，内部激子发生分离产生电子和空穴对，电 子通过电子传输层导出，空穴通过空穴传输层导出，当器件外加负载便能够形成 完整的回路。

根据电子传输层与空穴传输层的位置不同，钙钛矿太阳能电池可分为正式结 构电池（n-i-p）与反式结构电池（p-i-n），其中 n 代表电子传输层（ETL），i 代 表钙钛矿吸光层，p 代表空穴传输层（HTL）。相比于正式器件，反式结构器件具 有多种优点，例如制备工艺更加简单、可低温成膜、无明显迟滞效应、适合与传 统太阳能电池（硅基电池等）结合制备叠层器件等。但是，反式结构器件也存在 一些显著的不足，例如开路电压与理论值差距较大，通常为 1.10 V（类似带隙的 正式钙钛矿电池开路电压大于 1.20 V），导致反式结构光电转化效率相对偏低。 根据电荷传输层的形貌结构，钙钛矿太阳能电池可分为介孔结构和平面结构。 介孔结构相较于平面结构有散光效果好(增加光程增强吸收)、电子传输层与光吸 收层的接触面积大(利于电子的抽取和传输)等优势，但是由于界面粗糙度显著增 大而容易造成界面或光吸收层内缺陷的增多，且制备工艺复杂，能耗较高，因此 应用范围不及平面结构广泛。

钙钛矿为第三代太阳能电池，发展前景广阔。从 1954 年光伏电池诞生世界 第一块太阳能电池，光伏电池技术迭代已经走过三代：（1）第一代是以晶硅为主 的太阳能电池，主要应用场景为集中式光伏电站，目前技术最为成熟，但光电转 化效率已经接近上限，提效降本空间较为有限，边际成本大幅升高；（2）第二代 以薄膜太阳能电池为主，典型代表为铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）太阳能电 池，主要应用场景为分布式光伏，实验室小面积试件光电转化效率高于晶硅电池， 但实际应用中光电转化效率低于晶硅，且造价较为昂贵；（3）第三代为新型太阳 能电池，主要包括：钙钛矿电池、染料敏化电池和量子点电池。第三代钙钛矿电 池具备第二代薄膜电池效率提升速率快、成本低、材料可设计性强的优势，同时 随着商业化推进，有望弥补第二代面临的量产表现与理论优势条件差距大的问题。

1.2 钙钛矿电池具有效率上限高、成本低、可叠层、柔性四大优势

钙钛矿电池光电转化效率上限远高于晶硅电池，是具有革命性的新材料。学 术界通常认为晶硅电池的理论极限为 29.4%，技术极限约为 27.5%，而当前晶硅 太阳能电池实验室最高效率已经达到 26.7%，已非常接近其理论效率天花板。打 破传统晶硅转化效率上限的方式包括新材料与新工艺，钙钛矿是具有革命性的新 材料，而叠层技术是具有革命性的新工艺，单节钙钛矿效率可达 33%，钙钛矿/ 晶硅双节钙钛矿效率可达 45%，三节钙钛矿效率可达 45%。

钙钛矿太阳能电池成熟期投资成本、生产成本较晶硅电池均有优势。投资成 本方面，由于晶硅太阳能电池需要经历硅料、硅片、电池、组件四个环节，因此 需要四个工厂来生产，耗时至少三天，单 GW 投资成本之和约 10 亿元；而钙钛矿 太阳能电池流程可在一个工厂完成，45 分钟即可走完生产流程，成熟期后单 GW 投资成本只需 5 亿元（当前约为 7 亿元+）。生产成本方面，由于钙钛矿材料占成 本比例较小，协鑫光电 100MW 生产线的组件成本小于 1 元/W，预计 5-10GW 级别 的量产生产线的组件成本约为 0.5-0.6 元/W，远低于晶硅极限生产成本 1 元/W。

钙钛矿具有带隙可调的优点，可用于制备叠层电池，以进一步增加转化效率。 通过调整 A、B 和 X 含量可以获得不同组分钙钛矿材料，对应钙钛矿材料的带隙 及能级分布也各不相同。通过对钙钛矿进行组分调控，可实现禁带宽度从 1.2- 3eV 的调节，能够与其他中窄带隙底电池，如晶体硅太阳能电池、钙钛矿太阳能 电池等带隙匹配来制备叠层电池，实现上、下两个电池吸收不同波段的光能，从 而进一步提升转化效率。

钙钛矿可用柔性基板，应用范围可拓展至 BIPV 领域。传统晶硅电池刚性强、 透光性差、难以弯折，因此并不适用于 BIPV，尤其是光伏幕墙领域。应用场景与 BIPV 更为契合的第二代薄膜电池产品，又面临着实际应用中转化效率低，且造价 较为昂贵的问题。待技术成熟后，钙钛矿既可以采用刚性基板方案，与传统晶硅 电池竞争集中式光伏市场；亦可采用柔性基板方案，与第二代薄膜电池竞争分布 式光伏市场。并且从光电转化效率与成本而言，取代第二代薄膜电池的难度要远 低于取代传统晶硅电池的难度，因此我们认为 BIPV 有望成为大规模钙钛矿产线 的优先应用场景与拓展方向。

1.3 效率、稳定性为商业化核心因素，正处于快速改善阶段

制约钙钛矿商业化的重点影响因素包括成本与效率，其中增效为当下的核心 要素，主要通过提升转换效率与稳定性实现。目前钙钛矿企业降本的路径主要包 括通过提高量产的规模从而摊低单位产能的成本、研发与优化生产线上的设备等； 提效主要通过提升转换效率（增加单位时间发电量）与稳定性（降低衰减速度， 增加工作年限）实现，具体的路径包括技术、材料及设备等系统性细节的改进。 钙钛矿电池（小面积）实验室效率提升迅速，已经远超晶硅电池极限效率。 钙钛矿技术自 2009 年被提出以来，经过十几年的发展，单节钙钛矿电池实验室 效率已从 3.8%提升至 25.7%。叠层电池方面，德国柏林亥姆霍兹中心（HZB）科 学家最新研发的钙钛矿/晶硅叠层电池的光电效率高达 32.5%；经中国计量院第 三方测试认证，北京曜能科技有限公司自主研发的小面积钙钛矿/晶硅两端叠层 电池稳态输出效率达到 32.44%，时隔三个月再次刷新国内转换效率纪录；经日本 JET 第三方认证，仁烁光能团队研发的全钙钛矿叠层电池稳态光电转换效率达到 29%，打破了谭海仁团队在 2022 年 6 月创造的 28%（0.049cm2）的世界纪录。

随着技术、材料及设备的改进，大面积钙钛矿生产线转化效率亦有望持续提 升。事实上，由于大面积试件的工艺与稳定性尚存在一些问题，会导致组件效率 出现损失，当前投产/在建的百 MW 级别钙钛矿产线，转化效率多在 16%-20%的区 间，距实验室转化效率尚存在较大差距。但我们认为，随着技术、材料及设备等 系统性细节的改进，大面积钙钛矿生产线转化效率将持续提升，以协鑫光电为例， 公司规划自身组件效率于 2023 年达 18%；于 2024 年达 20%；于 2025 年达 22%。

钙钛矿材料稳定性尚存在问题，随时间推移会影响转化效率。由于体/表界 面缺陷、A 位阳离子稳定性、离子迁移、相稳定性、应力、器件中各功能层、周 围环境等因素影响，钙钛矿材料对水、氧、热、光、电等外界因素非常敏感，随 着工作时间的推延会影响组件的转化效率。以光照为例，其不仅能够辅助水、氧 分解钙钛矿，而且能够引起钙钛矿材料中离子的迁移和重新排布，从而导致钙钛 矿器件效率的大幅度下降。

近年来钙钛矿稳定性研究进展迅速。针对外在因素，如湿度、温度、光照、 氧气以及冰雹等，研究人员主要通过改善封装技术来提升器件稳定性；针对内在 因素，热不稳定性可以通过调节无机组分来改善，离子迁移可以通过薄膜体缺陷、 晶粒边界、界面钝化和薄膜结晶度提高来改善。当前国内外的研究中，最大光功 率输出点 MPP 处的长期运行稳定性已经达到几千个小时。

纤纳光电α组件已顺利通过 IEC61215、IEC61730 稳定性全体系认证。 IEC61215 和 IEC61730 是国际电工委员会出具的针对太阳能电池的基础标准，是 产品上市的前提条件。纤纳光电的产品稳定性突破历经两个阶段。其中第一阶段， 公司中试级组件 IEC 稳定性核心项目获认证，第二阶段，公司百兆瓦级量产钙钛 矿商用α组件稳定性通过认证。在批量下线的 α 组件（1245mm×635mm）上，第三 方机构系统进行了湿冻、热循环、湿热、爬电、脉冲电压等几十项系列测试，其 中纤纳α组件可以在双 85 测试下工作 1000 小时，还提供 25 年产品材料与工艺 质保，12 年线性功率输出质保，稳定性得到验证。

1.4 GW 级钙钛矿生产线有望于 2023 年招标，商业化进程提速

近期资本密集投资钙钛矿企业。2022 年 8 月，仁烁光能宣布完成数亿元 PreA 轮融资，此轮融资由三行资本领投，用于 150MW 钙钛矿组件量产线落地；2022 年 11 月，脉络能源完成数千万元天使轮融资，本轮融资由国新思创领投，用于 钙钛矿中试线建设。2022 年 11 月，光晶能源宣布完成 3000 万元天使轮融资，本 轮融资由正轩投资领投，创新工场、鼎祥资本跟投。2022 年 12 月，协鑫科技旗 下协鑫光电完成 5 亿元 B+轮融资，本轮融资由淡马锡投资、红杉中国、IDG 资本 联合领投，川流投资等机构跟投。

钙钛矿百 MW 线进展顺利，GW 线有望于 2023 年招标，2-3 年内落地，商业化 进程提速。截至目前，国内已有三条百兆瓦级别的钙钛矿光伏组件产线建成（协 鑫光电、纤纳光电、极电光能），多条百兆瓦产线、GW 级产线正在推进中。根据 我们的不完全统计，2022 年钙钛矿产能约为 0.47GW，2023 年有望达到 1.16GW， 2024 年有望达到 4.47GW。在技术与资本的双重推进下，我们认为多条 GW 级别生 产线有望于 2023 年招标，2-3 年内落地。

2 单节钙钛矿电池：建议优先关注镀膜、涂布设备

以协鑫光电 100MW 生产线为例，单节钙钛矿生产线主要设备包括 PVD 设备、 涂布设备、激光设备、封装设备。具体的生产流程为：阳极缓冲层——激光 P1— —钙钛矿涂布——阴极缓冲层——激光 P2——背电极——激光 P3——激光 P4— —封装设备。

2.1 PVD 设备：技术已在 HJT&半导体领域应用，价值量占比高

PVD 是钙钛矿电池核心设备，技术较为成熟，价值量占比高。PVD（物理气相 沉积）设备并非新概念，其在半导体&HJT 领域已有应用，技术较为成熟。钙钛矿 生产线中，PVD 设备主要用途为给电子传输层、空穴传输层以及电极等进行镀膜， 因此一条生产线可能需要多套设备，这使得目前 PVD 镀膜设备占钙钛矿整线的价 值比例高达 50%左右。 根据具体工艺不同，PVD 设备可分为蒸镀设备、磁控溅射设备。此外，还有 原理相近的日本住友开发的反应等离子体镀膜（RPD）设备。

⑴蒸镀是指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料（或称膜 料）并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。真空蒸镀工艺具有成 膜均一、稳定性好、制程单一、良品率高等优势。在实验室钙钛矿制备中，在钙 钛矿层、界面钝化层、电子传输层及金属电极均有广泛应用，且取得较高稳态输 出效率。但真空蒸镀工艺存在复杂组分沉积速率控制与设备投资过高的缺点，制 约了其大规模发展。

⑵磁控溅射的原理是：在真空室内加入正交（有例外）的电磁场，空间中的 电子在电磁场的作用下不断做螺旋线运动，电子运动撞击空间中稀有气体粒子 （一般氮气、氩气），使其离化，离化了的粒子又会产生运动着的电子，继续撞 击其他稀有气体粒子，阳离子在电场力的作用下轰击靶材（靶材接负压），溅射 出靶材离子，在基片上沉积。磁控溅射的优点是沉积薄膜的致密度有所加强，既 可以沉积金属膜层，也可以沉积非金属膜层、化合物膜层，当前在钙钛矿生产中 主要应用于透明导电氧化物薄膜（TCO）以及部分电子传输层、空穴传输层的制 备。

⑶反应等离子体镀膜（RPD）是指 Ar 等惰性气体气体通过等离子体枪产生等 离子体，通过磁场引导等离子体轰击靶材，靶材温度升高后升华产生气体再沉积 到衬底上形成氧化物薄膜的过程。RPD 的优点是可以减少对钙钛矿电池的轰击损 害，有利于提高转换效率和良率，缺点是设备的价格较为昂贵。

2.2 涂布设备：主要用于制备钙钛矿层，建议关注狭缝涂布技术

钙钛矿层是制备难度最大的领域，制备方法多样。钙钛层的制备技术可分为 四大类：（1）基于溶液涂布法制备大面积钙钛矿薄膜，可分为刮刀涂布法、狭缝 涂布法和丝网印刷法；（2）由喷头内的压力带动钙钛矿前驱体溶液喷出，在基底 上形成一层薄膜，可分为喷涂法和喷墨打印法；（3）软膜覆盖法；（4）基于固态 材料的气象沉积技术。

建议关注大面积制备方法——狭缝涂布技术。旋涂多在实验室制备中应用， 具有操作便捷、成膜快、重复性好的优势，但无法满足大面积、低成本等产业化 核心要求。目前使用最广泛的大面积制备方法是狭缝涂布技术，其基本原理为涂 布胶液由存储器通过供给管路压送到喷嘴处，并使胶液由喷嘴处喷出，从而转移 到涂布的基材上。狭缝涂布在刷浆料的同时初步固化结晶，可以避免成分偏离、 裂纹等现象，存在涂布速度快、涂膜均匀性好、涂布窗口宽等优点，是当前最被 看好的大面积制备方法。此外，亦有商家于蒸镀 PVD 设备布局，用于制备钙钛矿 层，其在叠层电池中优势更为明显。

涂布设备投资较低，具有性价比优势。无接触的狭缝涂布工艺，可以满足当 前钙钛矿层物理一致性的要求，且涂布工艺设备投资额通常在 300-400 万左右， 性价比较高。但后道控晶具有一定难度，膜层质量（化学一致性）仍有待提高， 因此设备、工艺均尚需完善。目前，上海德沪涂膜市占率达到 70%，其余份额为 日本东丽。

2.3 激光设备：钙钛矿电池需四次激光刻蚀，起分片效果

激光工艺涉及到整个钙钛矿薄膜电池的制备流程，起分片效果。加工精度高、 适用薄膜材料的激光是实现电路连接的关键，是整个钙钛矿电池制备的必备环节。 钙钛矿电池需要分别进行 3 次平行激光刻蚀（P1-P3），并完成 P4 的清边，整体 价值量约 10~20%。在 P1-P3 的刻蚀环节，激光实现切割效果，使材料表面快速被 加热到汽化并形成槽线，从而可以形成阻断电流导通的单独模块，起分片效果，以实现增大电压和串联电池的目标。高质量薄膜的加工是钙钛矿电池的重要特性， 激光工艺关系到薄膜的损伤缺陷以及被切面的平整光滑程度，这类因素会共同影 响电池的效率和寿命。因此，精密激光设备在钙钛矿薄膜电池中具有很高的重要 性。 P1 激光刻蚀：在透明导电电极 TCO 沉积后，和电荷传输层沉积前，进行激光 刻蚀，以形成彼此独立的条形导电电极； P2 激光刻蚀：在第二电荷传输层沉积后，底电极沉积之前，进行激光刻蚀， 去除 HTL/钙钛矿层/ETL，留下 TCO 层，形成一个空缝。进行底电极层沉积时金属 会填满这个空缝，从而将一个电池的底电极与下一个电池的透明顶电极相连； P3 激光刻蚀：去除相邻电池的底电极/HTL（空穴层）/钙钛矿层/ETL（电子 层），留下 TCO 层，从而实现分离效果； P4 清边：去除薄膜的边缘区域，利用激光划线划分出区域后进行清除。

2.4 封装设备：对稳定性至关重要，通常采用 POE 材料

为了避免外部环境因素和分解泄漏等导致钙钛矿结构或其它功能层被破坏， 封装是一种最有效的解决方法。常见的封装方式大致可分为两类：一种是完全覆 盖封装，通常在模块顶部制备封装层；另一种是边缘封装，在模块周围放置密封 剂。对于完全覆盖封装，既可以使用聚合物作为封装材料，也可以采用原子沉积 法制备隔绝水氧的薄膜，其优势在于保护效果更好，但是对钙钛矿层以及其它功能层影响较大，并且由于其直接接触钙钛矿功能层，所以对其透光率有较高要求。 边缘封装优势在于可以减少对接触层的影响，降低封装材料与钙钛矿发生副反应 的可能性，同时对材料透光率的要求较低，但封装效果会相应降低。为了进一步 增加阻水效果，可以在边缘封装过程中加入干燥剂。封装设备可以与晶硅行业共 用。

钙钛矿太阳能电池封装材料和工艺需要满足以下要求：（1）化学惰性，在封 装过程中可以和钙钛矿器件直接接触，且不会对钙钛矿材料、传输层材料或者器 件结构造成破坏；（2）材料具有长久的阻水阻氧和阻紫外的特性；（3）由于钙钛 矿材料和电荷传输材料的低耐热性，封装过程需要在低温下（通常小于 150℃） 进行；（4）成本低、易于加工、绿色环保。 钙钛矿通常用 POE 而非 EVA 封装。由于钙钛矿材料比较敏感，因此钙钛矿电 池在封装的要求相比晶硅电池更高，一般采用 POE 胶膜而不能采用 EVA 胶膜，主 要原因有两点：一是 EVA 胶膜的水汽透过率较高，晶硅可以接受的水汽透过率钙 钛矿不能接受；二是 EVA 胶膜降解分解会产生醋酸，对钙钛矿材料造成腐蚀，降 低电池性能。

3 叠层钙钛矿电池：效率优势明显，光伏终极解决方案

3.1 叠层钙钛矿电池结构

叠层的结构分为相对简单的四端叠层（仅光学耦合）与复杂的两端叠层（光 学+电学耦合）。四端叠层结构是由两个完整的电池组成，底部电池称为宽带隙电 池，顶部电池称为窄带隙电池，两个电池通过简单的机械堆叠构成，这使得两个 电池之间有空气间隔，最终导致了电池转化效率的部分损失，但不涉及复杂的电 流匹配，工艺上相对简单。两端叠层结构也是由两个不同带隙的电池组成，通过 中间复合层使两个电池紧密结合在一起，由于两个电池之间没有空气间隔，两端 叠层结构的电池转化效率损失较小，但需要保证顶、底电池的电流匹配问题。

两端钙钛矿叠层电池的三大组成部分为窄带隙底电池、互联网/隧穿结、宽 带隙顶电池。其中窄带隙底电池的作用为提升载流子扩散长度，增大光电流密度 和开路电压；互联网/隧穿结的作用是降低寄生吸收，增大光电流密度；宽带隙 顶电池的作用为降低开压损耗，提高光稳定性。

3.2 钙钛矿/晶硅叠层电池：有望成为产业化的初期路径

钙钛矿/晶硅叠层为晶硅电池进一步增效，有望成为产业化的初期路径。短 期来看，钙钛矿仍然难以取代晶硅电池。主动拥抱成熟的晶硅产业，发展钙钛矿 /晶硅叠层，为晶硅电池进一步增效，或将会成为钙钛矿产业化的初期路径。 钙钛矿/晶硅叠层电池晶硅表面需做成锯齿面，蒸镀设备较单节有望存增量。 若硅片表面光滑，会导致反射过强，光能损失，因此钙钛矿/晶硅叠层电池需要 将晶硅表面做成锯齿面，便于钙钛矿层吸光。现有技术较难实现在锯齿面上涂布 钙钛矿层，因此钙钛矿/晶硅叠层电池的钙钛矿层需要更多运用全真空镀膜技术。

3.3 全钙钛矿叠层电池：有望成为产业化的终极路径

全钙钛矿叠层电池理论效率最高，度电成本最低，有望成为产业化的终极路 径。从理论效率角度而言，全钙钛矿叠层电池>43%,高于钙钛矿/晶硅叠层电池； 从度电成本角度而言，全钙钛矿叠层电池则明显低于晶硅钙钛矿电池，因此有望 成为产业化的终极路径。

已有企业直接选择两端全钙钛矿叠层结构作为其产业化的主要方向。随着科 研界对于两端全钙钛矿叠层电池的效率与溶液配方的突破，以仁烁光能为代表的 初创企业，依托强大的科研实力（该公司谭海仁团队屡次创造全钙钛矿叠层世界 纪录），直接选择了两端全钙钛矿叠层结构作为其产业化的主要方向。仁烁光能 提出通过阻止前驱体溶液中 Sn4+的生成以及增强晶粒表面缺陷钝化的缺陷调控手 段，应对窄带隙薄膜中的锡缺陷态，提升载流子寿命和扩散长度。全钙钛矿叠层 电池的难度整体不大，主要性能取决于单节钙钛矿电池性能，难点在于由于层数 的增加，需要解决下层均匀度偏差问题的累积问题，且对激光刻蚀工艺要求更高。

4 重点公司分析

4.1 京山轻机

京山轻机的核心主业是光伏智能装备业务，以全资子公司晟成光伏为主要业 务主体。晟成光伏致力于光伏组件、电池片环节装备的研发、制造、销售及服务。 公司已研发出多款钙钛矿产品。在钙钛矿领域，公司可提供 PVD 镀膜设备 （用于沉积电子传输层或空穴传输层）、团簇型多腔蒸镀设备（用于钙钛矿电池 制备过程中钙钛矿材料及金属电极材料的蒸镀）、ITO 玻璃清洗机（用于 TCO 镀 膜/背板玻璃表面的洁净化清洗）等产品。

4.2 奥来德

奥来德主要从事 OLED 产业链上游环节中的有机发光材料的终端材料与蒸发 源设备的研发、制造、销售及售后技术服务，在封装材料、蒸镀机等“卡脖子” 产品上亦有所突破。 公司依托原有蒸镀技术，拟切入钙钛矿赛道。公司拟使用超募资金 4900 万 元投资建设钙钛矿结构型太阳电池蒸镀设备的开发项目（计划投资额 2900 万元， 建设周期 20 个月）和低成本有机钙钛矿载流子传输材料和长寿命器件开发项目 （计划投资额 2000 万元，建设周期 20 个月）。

4.3 捷佳伟创

捷佳伟创是一家国内领先的从事晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的 国家高新技术企业。主要产品包括 PECVD 及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏 设备、清洗、刻蚀、制绒、全自动丝网印刷设备等晶体硅太阳能电池生产工艺流 程中的主要及配套自动化设备、智能车间系统以及高端显示、先进半导体的湿法、 炉管类设备研发、制造和销售。 公司钙钛矿太阳能电池生产的关键量产设备“立式反应式等离子体镀膜设备” (RPD)通过厂内验收，将发运给客户投入生产。同时，公司多次中标某领先公司 的钙钛矿电池量产线镀膜设备订单。

4.4 奥联电子

奥联电子自 2001 年成立以来，主要围绕汽车零部件领域，展开在汽车动力 总成核心零部件相关产品的研发、生产、销售。随着新能源相关政策落地实施， 公司近年来确立以“创新型新能源产业龙头企业”为发展目标，通过内生式增长和 外延式并购投资，不断摸索和布局新能源产业链。 公司全资子公司奥联投资近期与自然人胥明军共同出资设立奥联光能，计划 2023 年 50MW 钙钛矿中试线投产，2024 年 600MW 钙钛矿装备和 120MW 钙钛矿电池 组件生产线投产，力争 5 年内形成 8GW 钙钛矿装备和 2GW 钙钛矿电池组件生产能 力，实现钙钛矿电池研发、装备研制和装备制造规模、钙钛矿电池效率处于行业 领先水平。

公司 “材料配方+工艺装备+组件生产”三位一体的业务规划，“材料配方”是 指将来设立钙钛矿技术研究院，用以引进行业内知名教授、学者或科研机构来共 同开展产学研合作；“工艺装备”是指装备制造，是公司钙钛矿电池产业化发展 的引擎，在研究院提供的工艺技术支持下开展实验线、中试线和量产线等钙钛矿 装备的设计、制造、升级改造和工艺适配服务，为研究型客户提供实验线装备， 为产业型客户提供中试线和量产线装备；“组件生产”是指组件生产基地，是电 池生产技术的试验场，也是公司自研中试线和量产线的装备实证基地和电池规模 化生产基地，不但为电池生产技术和装备制造技术提供试验、展示的作用，也实 现规模化生产并销售电池组件。

4.5 大族激光

大族激光聚焦于激光及自动化技术，经过了二十多年的发展和技术积累，具 备从基础器件、整机设备到工艺解决方案的垂直一体化能力，是全球领先的工业 激光加工及自动化整体解决方案服务商。 公司在钙钛矿技术领域自主研发了钙钛矿激光刻划设备，已实现量产销售， 并和行业头部客户一直保持合作关系。

4.6 杰普特

杰普特主营业务为研发、生产和销售工业激光器、激光精密加工装备及光学 精密检测设备。产品主要应用于智能手机、半导体、集成电路、被动元件、动力 电池、光伏材料等的精密制造和检测。 公司在柔性钙钛矿薄膜切割领域取得重大突破。公司为江苏大正微纳科技有 限公司定制的全球首套柔性钙钛矿膜切设备，通过验收并正式投入生产使用。

4.7 帝尔激光

帝尔激光主营业务为精密激光加工解决方案的设计及其配套设备的研发、生 产和销售。公司主要产品为应用于光伏产业的精密激光加工设备。 公司已成功将激光加工技术应用到钙钛矿领域，已经交付应用于钙钛矿电池 的激光设备。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。「链接」