2023年1月11日,南京大学在世界顶级期刊《nature》上,以“Approaching the quantum limit in two-dimensional semiconductor contacts”(二维半导体接触电阻接近量子极限)为题发表了研究论文。
论文第一单位为南京大学。
通讯作者为:南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室的王欣然教授、施毅教授;东南大学物理学院的王金兰教授。
研究成果是通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化,将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm,超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻,并接近理论量子极限。该成果解决了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。
王欣然教授,1981年9月出生。2004年本科毕业于南京大学物理系。2010年获斯坦福大学电子工程物理学博士学位。2013年获国家杰出青年科学基金资助。
施毅教授,1983 年本科毕业于国防科技大学应用物理系。1989年毕业于南京大学,获博士学位。2003年获国家杰出青年科学基金资助。
王金兰教授,2002年毕业于南京大学物理系,获博士学位。2003-2005年在美国Argonne(阿贡) 国家实验室化学部从事博士后研究。2005年底由东南大学引进。2015年入选国家杰出青年科学基金。
页面更新:2024-04-27
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