中国研发又一种绕开EUV光刻机的技术，让外媒惊叹

提升芯片性能的主要途径就是通过在相同体积的芯片内塞入更多晶体管，这方面除了以先进工艺制造更小的晶体管之外，晶体管结构设计同样能有助于在同样体积里容纳更多晶体管，而中国的复旦大学研发的芯片技术恰恰可以绕开EUV光刻机。

在28nm到台积电的第一代16nm工艺，都在采用HKMG晶体管结构，由于台积电第一代16nm工艺仍然采用HKMG工艺导致第一代16nm工艺的技术性能远远达不到预期，最终仅有一家中国芯片企业以及另一家不知名的芯片企业采用。

台积电随后引入FinFET（鳍式场效电晶体）架构，推出了16nmFinFET工艺，性能大幅提升，当时苹果的A9处理器同时由台积电的16nmFinFET和三星的14nmFinFET工艺生产，结果台积电生产的A9处理器功耗更佳，由此奠定了台积电在先进工艺制程方面的领先优势。

此后FinFET晶体管结构就一直用到5nm工艺，到了3nm工艺台积电继续采用FinFET晶体管，而三星则更激进地采用了GAAFET（环绕栅极晶体管）技术，早前传出苹果的A16处理器曾用台积电的3nmFinFET工艺试产却发现性能不达标，最终导致两家芯片代工厂的3nm工艺都未有客户正式采用。

由此可见晶体管结构技术的重要性，复旦大学研发出的全新晶体管技术CFET正是类似于FinFET、GAAFET的技术，可以利用成熟的芯片制造工艺倍增晶体管数量，从而大幅提升芯片性能，有助于中国芯片绕开EUV光刻机的限制。

复旦大学研发的CFET技术利用成熟的工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，利用两者高度匹配的物理特性实现三维异质集成互补场效应晶体管，简单来说就是在同等工艺下，集成的晶体管数量可以成倍增加。

如此一来，在同样的14nm工艺下，集成的晶体管数量可以增加一倍，芯片的性能就能接近7nm，这对于当下中国芯片制造行业难以获得EUV光刻机的情况下无疑是巨大的突破，未来一旦中芯国际的工艺进展到7nm，国产芯片达到5nm工艺的性能也是有可能的。

如此一来中国可望将真正绕开EUV光刻机的限制，利用现有的芯片制造工艺就能达到先进的性能，满足国内对先进性能芯片的需求，特别是人工智能、高密度存储器方面，这正是美国一再下手的领域，早前美国就限制NVIDIA对中国出售高端GPU芯片以限制中国的人工智能技术发展。

其实绕开EUV光刻机不仅是中国芯片行业努力的方向，美国和日本的芯片企业都在寻求绕开EUV光刻机，因为EUV光刻机的成本太高了，导致生产的芯片成本过于昂贵，复旦大学研发的CFET技术其实欧美也在研发，只不过中国抢先一步。

中国芯片行业的努力代表着EUV光刻机作为中国芯片前进的最大障碍正被搬开，中国芯片前进脚步已无法阻止，他们的图谋终将落空，难怪外媒惊叹中国芯片行业总能拿出一项又一项技术创新打破芯片技术的局限。