芯片制造传喜讯！扭转卡脖子危局，为何说中国换道超车有可能？

随着中国的快速崛起，世界霸主美国早已寝食难安，高度紧张。为了彻底阻遏中国的进一步崛起，他们从各个方面对我们发起了最恶毒的阻击战。在科技领域，尤以半导体芯片制造为最。由于EUV光刻机的缺失，导致我国即便拥有世界一流的芯片设计水平，却也难以造出半片世界一流的顶级芯片。

在这个层面上，我国为了突破美国的封锁和围堵，就只能靠自己一点一点地攻破。为了实现国务院提出的2024年实现半导体芯片70%自研自产目标，我国制定了非常务实的攻坚策略。在这里，我想将其概括为两句话：在传统芯片制造领域，稳中求进；在碳基芯片领域力争换道超车。

我们先来说一下“稳中求进”。

稳，就是立足我国芯片制造主要集中在60纳米左右这个现实，力争实现绝大部分国产。目前，我国在60-14纳米晶圆制造阶段，无论是芯片的设计制造还是设备研发，都具备不错的实力。在生产14纳米以上至60纳米的芯片中，制造以中芯国际为主力，完全有能力稳住这个基本盘。尤其是上海微电子正在加紧研发28纳米DUV光刻机，一旦这个尺寸的光刻机正式推出，则是稳中求进的一大进步。而在14纳米光刻机没有出现之前，华为另辟蹊径，有可能研发并推出14纳米叠加技术，这样有可能使我国芯片制造达到相当于7纳米的水平。如果这一技术在2022年最终实现，这也是我国稳中求进战略的一大进步。

总之，尽管传统半导体芯片制造我们与国外差距还很大，但是稳中求进却是实打实地在有序推进。这样就能很好地保证我国真正在2024年实现国务院制定的目标——70%的自产率。

下面，我们再来说一说“换道超车”。

为什么说中国有可能实现换道超车呢？在换道超车这一策略上，主要是指碳基芯片技术研发上。笔者之所以坚信中国最终会实现换道超车的客观依据有如下几点：

碳基芯片制造理论，我国居于世界领先水平。大家都知道，2018年，我国天才少年科学家曹原先后两度在世界最知名科学杂志《自然》上发表有关石墨烯的理论论文，为此他还被该杂志评为年度十大科学家之首。可见，曹原在石墨烯技术领域的理论突破有多突出。时隔三年多，曹原加入华为后，积极展开了与中科院、北大等顶级研究团队的合作，这对我国石墨烯晶圆研究和制造生产方面，必将产生出积极的作用。

可惜的是，仅在2020年10月举行的中国国际石墨烯创新大会上，我国就集体亮相了三个石墨烯材料领域的创新成果：8英寸石墨烯单晶晶圆、锗基石墨烯晶圆和超平铜镍合金单晶晶圆。进入2021年，8英寸石墨烯单晶晶圆还在上海市石墨烯功能型平台加持下，实现了小批量生产。目前，中科院上海微系统所已与上海市石墨烯功能型平台签订了合作协议，这将极大地促进我国石墨烯晶圆量产的步伐。

也就是说，在碳基芯片方面，我国无论是理论研究还是生产技术领域，都已经居于世界领先水平，所以说，在石墨烯这一新材料、新工艺、新理论和新技术上，我国完全在厚积薄发之后，具备着换道超车的可能！

总之，中国在“在传统芯片制造领域，稳中求进；在碳基芯片领域力争换道超车”这一策略的引领下，对2024年实现芯片70%自研自产目标的实现，完全可以抱有坚定的信念！

祖国加油！

“弯道超车”和“换道超车”的理念，既有相同之处，也有不同之处。在芯片研发设计与生产上，还是“换道超车”靠谱，华为5G就是例证。任总早就说过开发石墨烯将是一场新材料革命，碳基这个“道”与光刻机这个“道”是两个不同“赛道”。一旦“碳基道”胜出，谁能卡脖子？

在科技领域，“弯道超车”是违反客观规律的，没有任何科学根据！科学技术的发展、靠的是艰苦卓越的专研和不断的积累。