光刻机核“芯”材料，国产KBBF晶体领跑全球半导体，困扰美国15年

很多朋友都知道，EUV光刻机是通过极紫外光束来对芯片进行曝光的。如果没有EUV光源，EUV光刻机将无法对芯片进行曝光，芯片也将无法进行生产。激光晶体是构成EUV光源器件的关键材料，虽说我们在光刻机领域中的技术比较落后，但在激光晶体领域中，我们处于世界领先地位。

我是柏柏说科技，90后科技爱好者。今天带大家了解的是：光刻机光源的核心设备，曾领先美芯半导体15年，我国福晶科技的激光晶体技术。

如同硅晶圆对硅芯片的重要性，激光晶体是上游激光设备的关键材料。得益于福晶科技对我国晶体领域做出的卓越贡献，我们在激光晶体领域中的技术十分先进。尤其是制成光刻机光源的KBBF晶体，我们曾在激光领域中拿“KBBF晶体”卡住美芯半导体整整15年。

在这里补充一点，早先我们国家是向全世界开放KBBF晶体的，但是由于美国暗中作梗，加上KBBF晶体本身的重要战略意义，2009年我们停止KBBF晶体的对外出口。考虑到有些朋友可能对福晶科技的KBFF晶体不是很熟悉，下面给大家简单科普一下。

激光设备在进行激光生产过程中，要想发射出特定频率的激光，离不开激光晶体的受激辐射。由于激光生产场景复杂多变，为了保证生产过程稳定，激光设备还得需要一个“转换器”。KBBF晶体便是这个“转换器”。

作为目前业界唯一能够直接倍频产生深紫外激光的非线性光学晶体，KBBF激光因其波长短、精度高的优势，成为光刻机光刻、激光切割、激光光电子能谱仪的核心材料。不只是半导体领域，KBBF晶体对国防、医疗、生物研究领域做出的贡献也是很大的。

KBBF晶体具有拦截洲际导弹的可行性，利用KKBF晶体的非线性和倍频产生深紫外激光的能力，可以生产超高分辨率光电子能谱仪、超导测量等前沿科技设备。如此重要的晶体，被我国的福晶科技率先突破，这对于我们来说显然是再好不过的消息。

虽说目前美国也掌握了KBBF晶体技术，但是比我国落后15年。目前我们在KBBF领域中依旧处于世界领先地位。由于KBBF晶体含毒性高，且晶体层状生长习性严重，目前我们正在探索探索新型深紫外NLO晶体材料。

受早先“造”不如“买”的错误观念的影响，我们在光刻机领域中的技术比较落后。与传统的光刻机相比，EUV光刻机制造过程十分复杂。单是一个“不起眼”的部件，就有可能包含着许多技术。想要在短时间内突破EUV光刻机壁垒基本上是不可能的。

虽说光刻机的制程难度很高，但伴随着我国半导体行业的发展，我们在光刻机领域中也获得了不少突破。清华、哈工大团队研制成功地与ASML EUV光刻机同等技术的EUV光源。北京华卓精科的双工件台，中科院采用5纳米激光雕刻技术打造的5纳米掩膜版等。这些成就都在说明我们距离突破光刻机先进制程的目标已经越来越近了。

以目前的现状来看，我们实现芯片完全自主化生产的可能性还是很大的，毕竟国产半导体行业的“底子”并不差。在有关芯片生产设备的相关技术方面，我们国家位于世界前沿水准，甚至领先世界，例如赛威集团的“旋式铸造单晶炉”以及我们本文提到的激光晶体。祝愿国产半导体能够愈发强大，早日摆脱核心技术卡脖子的问题。

对于福晶科技的激光晶体技术，大伙还有什么想说的吗？你认为我们能否在芯片制造领域中实现“超车”呢？欢迎在下方留言评论。我是柏柏说科技，90后科技爱好者。关注我，带你了解更多资讯，学习更多知识。