台积电芯片工艺突破到2nm，三星3nm难产落后一年，国产只能有14nm

台积电在6月份线上举办2021年度技术研讨会，公布了未来新工艺进展，6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息传来。

2nm目前是各大半导体巨头角逐的制高点，IBM甚至已经在实验室内搞定，率先公布了2nm芯片，而除了台积电、三星两大代工巨头，欧洲、日本也在野心勃勃地规划。

不同于之前世代在相同的基础架构上不断演进，台积电的2nm工艺将是真正全新设计的，号称史上最大的飞跃，最大特点就是会首次引入纳米片(nanosheet)晶体管，取代现在的FinFET结构。

台积电表示，纳米片晶体管可以更好地控制阈值电压(Vt)——在半导体领域，Vt是电路运行所需的最低电压，它的任何轻微波动，都会显著影响芯片的设计、性能，自然是越小越好。

台积电宣称，根据试验，纳米片晶体管可将Vt波动降低至少15％。

目前，台积电的2nm工艺刚刚进入正式研发阶段，此前消息是2023年试产、2024年量产。

先进半导体工艺上，台积电、三星一直你追我赶，但是这几年，三星明显有些跟不上趟，不但新工艺的量产进度缓慢、延迟，性能、客户规模也远不如对手。

2021国产IP与定制芯片生态大会上，三星公开了一份新工艺路线图，赫然显示3GAP 3nm要到2023年才会量产，而台积电早就宣称，会在明年下半年量产自己的3nm。

三星之前也说过会在2022年量产3nm，不过一直说的是3GAE版本，也就是3nm gate-all-around early，可以理解为3nm工艺的初始早期版本，而路线图上的3GAP，指的则是3nm gate-all-around plus，相当于3nm工艺的加强版，性能自然更好。

这么看来，三星取消了3GAE，直接上更好的3GAP？

三星的一位发言人称，三星一直在与客户探讨3GAE工艺，将在2022年如期量产。

这么看来，最大的可能是3GAE工艺还在，但没有外部客户采纳，三星要么拿它来做实验(代价有点大)，要么是仅限自用(三星LSI部门)，反正是悬了。

三星宣称，3GAE工艺对比7LPP可以性能提升最多35％，或者功耗降低最多50％，或者面积减小最多45％，而且最早说的投产时间是2021年底，现在推到了2022年，但还说如期……

至于3GAP对比3GAE会有多大提升，三星一直没有明确给出数据。

另外在路线图上，三星5nm、4nm也都增加了新版本，除了初期的5LPE、4LPE，分别增加了集成度和性能都更高的5LPP、4LPP，都支持EUV极紫外光刻，分别计划今年、明年量产。

三星4nm工艺即将被高通使用，高通下一代骁龙800系列处理器将被称为骁龙895，是一款4纳米的芯片，将由三星制造。高通还将带来骁龙895 Plus/骁龙895+，应该在2022年下半年推出，将由台积电制造。按照计划，它将会在2021年12月份发布。

台积电创始人张忠谋曾针对国产芯片发表过一番言论，他表示国内大陆只要做好芯片设计就行了，制造环节由台积电来完成。

再来看看我国大陆的领头羊中芯国际的最高工艺水平，依旧停留在14nm阶段，时至今日连7nm芯片都没有一个准确的消息。

眼看高通年底已经要发布4nm的芯片了，国内大陆的芯片制造实力，与那些全球领先的代工巨头相比，还存在显而易见的差距。尤其是在7nm等高端芯片市场，国内更是严重依赖从国外进口，距离实现自给自足还有很长的路要走——希望二十年内能看到胜利的曙光！

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