三星3纳米制程使用GAA架构，能完胜台积电3nm FinFET架构吗

昨日，有外媒报道称，三星对外公布了其研制的3纳米制程技术已经成功完成流片！根据所得知的情报来看，三星所研制出来的3纳米制程是使用的是GAA架构，据说其在性能方面是完全能够打败台积电的3nm FinFET架构的。

有相关报道称，三星和新思科技共同合作完成了3纳米制程的流片进度。之所以三星要和新思科技进行合作，主要的是为了更快地给GAA 构的生产流程供给更为完美优化的参考方案。再加上由于三星这次所研制出来的3纳米制程使用的是GAA 的结构，是和英特尔或者是台积电所使用的FinFET 的架构是完全不一样的，因此三星公司需要另寻其他的崭新的认证工具以及设计。这就是为什么三星公司会选择使用新思科技的Fusion Design Platform的原因。

问到为何三星要自己研制半导体这个问题，Sangyun Kim作为三星半导体设计技术团队副总裁则对此问题表示，三星的半导体对于一个科技企业来说是十分重要的战略资源，是对于推动产业创新进行下一步阶段进程中不可或缺的关键物。正是由于这样，所以，三星才要坚持不懈地发展、推进技术制程，从而进一步地满足持续增长的广泛市场应用以及专业的需要。三星电子全新一代的3纳米GAA 结构制程技术和新思科技在Fusion Design Platform加快预热当中进行深度合作，有利于3 纳米制程技术的研制成功。由此可见，这些关键联盟是有多么大的好处，有多么重要。

有相关报道称，GAA架构实际上是一个四周绕着Gate的FinFET 架构。有专家对于GAA架构则表示，其晶体管在提供静电特性方面上是要比FinFET要好的，正是这样的特性对于满足某些栅极宽度的需求是有帮助的。但这主要在同等尺寸结构的条件下，GAA 的沟道控制能力得到进一步的加强，这使得尺寸有可能能够进一步地微缩。要与只有三面被栅极包覆的这般传统FinFET相比较的话，GAA用纳米沟道设计则是会把沟道所有的外部都被栅极全部包起来，而这说明了栅极更好地控制了沟道。

对半导体相关知识有一定程度了解的朋友或许会知道3纳米 GAA 制程技术是有分类成3GAAP以及3GAAE这两种架构。这两款都是使用的是纳米片的结构设计，并且里面还有许多横向带状线。另外，三星公司还表示，由于该技术采用了这家公司绝大部分的FinFET制造技术和设备，只要少量的光罩就能够制造出来。所以，这样的技术具有十分之高的可制造性。除此之外，其栅极可控性也是十分之优秀的。