据中科院网站6月11日最新消息，日前上海光机所提出了一种基于虚拟边、双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正技术（OPC），仿真结果表明该计算光刻技术具有较高的修正效率。

在光刻机软硬件越来越难以突破的情况下，计算机光刻技术的研究变成了推动集成电路芯片按照“摩尔定律”继续发展、继续得以沿用的新动力。

事就是这么个事，在平常人看来也许较为难懂，但实际意义上对于自主发展光刻技术有着很重要的推动作用。

5月30日ASML首席执行官彼得·温尼克曾表示，从当前中国的科技水平来看，中国掌握高端光刻机技术的时间将会在3年后。

说实话别看咱们是门外汉，对于这个业内人士的话却深表赞同。

但网上却总会有那么一小撮人，在此类的信息资讯发布以后，总怀着“不知何意”的心思问上一句“光刻机明天能用了？”、“又突破？”、“又弯道超车？”

什么是光刻机？

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

虽然多数人很关心光刻机的消息，但多是只闻其名，不解其意。我们通过芯片的制作过程来通俗地讲解一下光刻机到底是干嘛用的，难点又究竟在哪？

一、硅晶圆。

图一过程是沙子变硅晶圆的过程，2020年12月科技日报报道，由西安理工大学和西安奕斯伟硅片技术有限公司共同研制的国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备日前在西安实现一次试产成功。

二、光刻。

在芯片的制作过程中，光刻是被大家最为熟知，却也是最难懂的环节。硅晶圆拿在手里，如何制作成“芯片”又是一大问题，动辄用纳米计算的尺寸，用壁纸刀显然不合适。

1、光刻胶。　

2020年12月，南大光电曾发布公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证。认证评估报告显示，本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。

2、掩膜。

2020年7月，中科院发表《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文。后经媒体证实。“超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列”技术，对于我国高端光掩膜市场的突破有着重要意义。

3、蚀刻。

中微半导体公司董事长兼首席执行官尹志尧博士曾表示，中微半导体的5nm蚀刻机目前已进入台积电的供应链。并且在2019年曾表示“3nm工艺已经研发一年多了”。

到这光刻机便可以“下岗”了，看似整个过程并不复杂，但操作起来要求的精细程度令人发指。

说几个数值，大家可能感知更强烈一些。

纳米，即为毫微米。1纳米=10的负9次方米，当于4倍原子大小，比单个细菌的长度还要小；华为的麒麟9000芯片，采用5nm工艺制程，集成153亿个晶体管。

光刻机之后

后续制作过程的难度依然不小，但相对于光刻机而言稍小一些，并且国内也有不少企业取得了阶段性的突破。

总结

光刻机就是用光线雕刻产品的机器，之所以让我们感觉它是“最重要”的原因是它的制造难度最大。

以 ASML的7nm 精度 EUV 光刻机为例，整体含有13个子系统，数十万个零部件。包含德国蔡司的镜头、美国的光源系统、日本的轴承，是全球数一数二的技术与产品的结合体。同时它也是在整个生产过程中，耗时最长，成本最高的物件。

除了它，还有蚀刻、离子注入、氧化、清洗、掩膜等等设备，哪一个不是高科技产品？但凡有一个落后一两代，就不能实现产品量产与良品率的保证。

你要问，国内光刻机究竟啥时候能整明白，估计没几个人能给出答案。

让始终要明白一点让一个国家去研究这么多东西，总要给点时间，咱们要有点耐心。退一步讲，也不是只有“光刻机”这一个难题需要攻克。

农业种子“孟山都”、软件设计“EDA ”、操作系统“微软、安卓、IOS”，哪个不需要去硬磕一下？

想要“明天就突破”、“突破这么多，还没造出来”的心情可以理解，但除了冷言冷语以外，其实能做的事挺多。

好好工作多赚钱，即便自己不能投身这场高科技战役中，培养教育好下一代，除了让他掌握能够吃饱喝好本事以外，能够领略一下星辰大海，站在比我们更高的舞台，难道不是一件美好的事情？

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