即将试产4nm芯片，三星或许没想到，台积电的动作会如此快

日前，台积电传来好消息，4nm芯片即将试产。知名供应链媒体DigiTimes援引消息人士消息，台积电先进工艺全面提速，将在2021年第三季度将N4（4nm）转移到风险试产阶段。

这则消息传来，或许三星也没想到，台积电的动作如此快。据了解，前不久台积电才更新了制程工艺路线图，其中4nm工艺，预计将在2021年年底“风险生产”。

如今，台积电将4nm芯片的风险试产提到三季度，难免令三星措手不及，毕竟直到现在，依然没有传来三星4nm芯片试产的消息。

但目前，台积电提前试产4nm，与三星进一步拉开差距，三星弯道超车的希望更渺茫。

目前，台积电与三星是全球排名第一、第二的晶圆代工厂，双方的先进制程之争由来已久，但每一次台积电都能做到领先三星，在4nm芯片上显然也不例外。

事实上，即便台积电没有提前试产4nm芯片，三星想要在2030年之前赶超台积电，可能性也不大。

众所周知，光刻机是芯片制造过程中必不可少的设备，而在光刻机设备中，EUV光刻机又是重中之重。晶圆代工厂想要制造7nm以下节点先进工艺芯片，就必须依靠EUV光刻机。

同时，对晶圆代工厂来说，拥有更多EUV光刻机，就意味着增加了更多晶圆数量，产能必然会得到提升。

但在拥有的EUV光刻机数量上，三星与台积电却有很大的差距。

此前曾有外媒爆料，阿斯麦目前已生产的极紫外光刻机，有70%卖给了台积电，留给其他厂商的只有30%，三星自然也在其他厂商之中。

为了获得更多EUV光刻机，三星做出了很多努力，高管频频前往ASML总部洽谈。

但需要注意的是，目前全球范围内只有ASML能够生产EUV光刻机，而ASML的产能有限，完全赶不上半导体厂家的订单数量，三星拥有的EUV光刻机数量，想要短时间内赶上台积电基本不可能。

而除了光刻机数量有较大差距外，三星在EUV光刻机的使用熟练度上，也远不及台积电。

在光刻机数量、使用熟练度都落后的情况下，照此发展，三星与台积电的差距将会越来越大。在笔者看来，台积电之所以每次都能在先进制程芯片的量产上，快三星一步，或许也有EUV光刻机方面的原因。

那么，你认为三星能否在2030年实现弯道超车呢？

文/有鱼