美断供光刻机,半导体CEO富凯急了:禁售中国只会逼出中国光刻机

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5月20日,荷兰光刻机巨头ASML的CEO克里斯托夫·富凯,在比利时安特卫普的一场科技活动上,

说了一句让西方半导体圈集体沉默的大实话:“如果我把你扔进沙漠,告诉你以后再也没有食物来源,你需要多久才能自己开垦出菜园?这是存亡问题。”

富凯的这番话,针对的是美国正在推动的一项新法案《硬件技术多边协调管制法案》,简称MATCH法案。

这项法案由美国存储芯片巨头美光科技主导游说,要求荷兰、日本等盟友进一步收紧对华芯片设备出口,

不仅限制先进的EUV光刻机,连技术落后多代、属于八代前旧工艺的浸润式DUV光刻机也要全面禁售。禁售还不够,连已售设备的维修、软件更新、技术支持都要一刀切断。

一个卖存储芯片的美国企业,拼了命推动立法卡住竞争对手的设备供应链,这背后的算盘,打得未免太响。

但富凯警告:这种把别人往绝路上逼的做法,只会加速中国自主研发,最终反噬西方自己。

美光的算盘:从商业竞争到政治博弈,一场“杀敌一千自损八百”的豪赌

这项MATCH法案,说起来拗口,内容却直白得可怕。法案草案于2026年4月2日在美国众议院提出,

由美国存储芯片巨头美光科技主导推动。美光CEO桑杰·梅赫罗特拉近一个月内,分别与众议院外交事务委员会、

参议院银行委员会的共和党议员举行闭门圆桌会议,全程深度参与法案起草沟通,

向议员强调“必须防止中国像主导太阳能产业一样掌控存储芯片制造”,将商业竞争上升到了国家安全层面。

美光为什么这么急?数据显示,2025年美光正式退出了中国数据中心服务器芯片业务,2026年2月底还要停售消费级产品,因为利润被中国厂商的价格战彻底打没了。

长江存储、长鑫存储等中国本土存储厂商的强势崛起,让美光在通用型存储市场节节败退,被迫加速转向利润更高的AI存储领域。所以美光打出的这套“政治牌”并不难理解

既然在市场上打不过,那就从源头上掐断对手的设备供应。

法案的管制范围覆盖五方面内容:扩大至浸润式DUV光刻、TSV沉积刻蚀、低温刻蚀、钴沉积等关键设备,

在EUV禁售基础上进一步封堵先进制程路径;特别点名长鑫存储、长江存储、中芯国际等中国半导体制造龙头企业

为重点管控对象,其生产设施列为“受管制设施”;要求荷兰、日本等设备供应国150天内实施同等管制与许可政策,

未达标则美国启用域外管辖权;向受管制设施出口、再出口及维修、校准、软件更新、技术支持等均需许可且原则上拒绝;

法案生效后5年有效期,强化问责与追溯。更狠的是,法案甚至禁止ASML为在华现有客户提供售后服务,

已卖出的设备一旦出故障,就可能变成废铁。美国两党议员在这件事上倒是出奇一致,众议院版本由议员迈克尔·鲍姆加特纳牵头,

参议院版本由议员皮特·里基茨推动。法案的目标是让荷兰、日本的设备厂商面临比美国企业更严苛的限制,

连工程师在中国境内为特定设施提供设备维护和维修服务都被禁止。但荷兰政府并不买账,明确反对该法案,认为其涉嫌域外管辖,干涉他国主权。

ASML的焦虑:30%中国营收腰斩,稀土反制打在七寸上

富凯急了,是有原因的。2025年全年,中国是ASML第一大市场,占其总营收的33%。

2025年第四季度,中国市场占比更是达到36%。中国市场贡献约95.2亿欧元收入,相当于ASML全球收入的近三分之一。但现在一切都在发生变化。

2026年第一季度,中国从荷兰进口的光刻设备同比下降24.3%。ASML自己预计,2026年中国市场营收占比将从33%骤降至20%左右,

如果MATCH法案彻底落地,这个数字甚至保不住。数十亿欧元收入蒸发,只是ASML麻烦的开始。

更让ASML头疼的是中国的反制措施。2025年10月起,中国升级稀土出口管制,含0.1%以上中国稀土的光刻机类产品,出口须经中方审批。光刻机的核心部件光学镜头、

精密轴承等,都离不开稀土元素,而中国占据全球90%以上的稀土分离提纯产能。这意味着,ASML想生产光刻机,绕不开中国的稀土供应链。与此同时,全球芯片需求正被人工智能、

卫星通信、机器人等新兴产业推高。富凯在采访中指出,到2030年全球芯片市场规模有望达到1.5万亿美元,

未来数年整个产业链都将面临供应紧张状态。一边是全球产能不够用,一边是主动丢掉中国这个全球最大的半导体设备市场,

ASML被夹在中间,成了最尴尬的角色。更要命的是,中国半导体产业的突破速度,远超西方预期。

国产替代加速:28nm量产良率超90%,中芯国际跨代突破

就在美国紧锣密鼓推动MATCH法案的同时,中国半导体产业正以前所未有的速度跑出了自己的节奏。

2026年1月,上海微电子自主研发的SSA800系列28nm浸润式DUV光刻机,在长三角半导体产业峰会上首次官宣实现全面量产,量产良率稳定在90%以上。

该机型采用193nm ArF浸没式光刻技术,套刻精度控制在±2.3至2.5纳米,每小时可处理150片晶圆,整机国产化率超过85%,三大核心子系统全部实现国产自研自产。

2026年3月,在上海举行的SEMICON China 2026国际半导体展览会上,上海微电子首次公开展示了该机型。SSA800系列二季度预计完成5至8台设备交付,

全年将实现稳定量产交付,快速覆盖国内绝大多数成熟制程晶圆厂的扩产需求。更令人振奋的突破来自中芯国际。2026年5月25日,中芯国际A股大涨18.78%,

股价收报156元再创历史新高。技术层面迎来里程碑式跨越中芯国际依托DUV光刻机搭配创新工艺方案,

成功做出性能媲美台积电3nm制程的芯片,大幅缩小了国内外工艺差距。华为Mate90搭载的9050芯片,由中芯国际代工量产,标志着国产芯片制造能力实现跨越式升级。

在核心光源子系统方面,杭州雷声激光自主研发的全固态深紫外激光器已实现100%国产化,进入商用阶段,去年底量产后已陆续交付国内多家领先半导体设备制造商和科研机构。

突破技术封锁,攻克EUV光刻机等核心设备瓶颈。华为也公开发布半导体领域新定律,

路线图显示到2031年基于该定律的高端芯片将实现等效1.4nm制程的晶体管密度,通过架构创新、系统优化等方式加速高端芯片国产化进程。

富凯的沙漠比喻,如今正在变成现实。被逼到绝境的中国半导体产业,从28nm浸润式DUV光刻机实现量产,

到中芯国际跨代突破,短短几年时间走完了西方数十年走过的路。上海微电子的SSA800系列已批量交付,

雷声激光的全固态光源实现商业化,华为的芯片定律指引未来方向这不是一个停留在PPT上的规划,而是一个正在发生的产业变革。

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更新时间:2026-05-27

标签:科技   光刻   半导体   中国   法案   芯片   美国   设备   荷兰   量产   管制   稀土

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