韩媒：此前中国存储芯片落后韩国5年，如今闪存技术差距缩短至1年

五年前，中国存储芯片还被外界看作"追赶者中的追赶者"，那时候谁要说中韩差距只剩一年，多半会被当成笑话。可就在最近，韩国半导体产业协会自己拿出了一份报告，把这个"笑话"变成了现实——闪存的差距，真的只剩一年了。

这中间到底发生了什么？事情要从今年九月中旬说起。

韩国《中央日报》率先披露了协会的这份内部评估：NAND闪存差距一年，DRAM差距两年，HBM差距三年。要知道，过去业内提到中韩存储技术的对比，几乎所有咨询机构给出的答案都是"落后大约五年"。

这份报告出来那天，韩国网络上炸开了锅。有人不服气，说这是危言耸听；也有人冷静地留言，说"其实韩国已经输了，只是我们不愿意承认"。

三星和SK海力士的股价那阵子波动也很明显，市场对这几行冷冰冰的数字反应,比谁都灵敏。要理解这个转折，得把时间拨回到差不多七八年前。

那时候的长江存储还是个"小学生"，主流产品才做到32层、64层，跟三星差着好几代。业内看它的眼神，多少带着点怀疑——毕竟三星走过的路，中国厂想抄都不好抄。

问题是，2019年之后中国厂商想抄也抄不了了。美国的出口管制一层一层加码，EUV光刻机拿不到，128层以上的设备也进不来。

传统"买设备、堆制程"的老套路，从这时候起就走不通了。被逼到墙角的长江存储，反倒琢磨出了一条自己的路——Xtacking，中文叫"晶栈"。

这个思路说起来朴素得很：既然一块晶圆做不好那么多事，那就干脆把存储阵列和外围电路分开做，两片晶圆各干各的，最后用键合的办法拼起来。这在当时其实是个冒险的选择。

同行里没人这么大规模干过，材料、良率、可靠性，每一项都是坑。但一旦跑通了，好处也很明显——外围电路不再挤占存储面积，密度和IO速度可以各自往极限里冲。

从Xtacking 1.0迭代到4.0，长江存储用了差不多七年时间。到了2025年，它的量产层数已经推到了270层左右，而同期三星、SK海力士做到300层上下。

表面看是三十层的差距，其实产品性能上已经贴得非常近了。层数这个东西，跟当年比线宽纳米数是一个道理，早就不是唯一的评判标准。

就像手机芯片一样，同样的4nm工艺，三星做出来的和台积电做出来的，市场口碑差着一大截。存储领域也是，堆几层不重要，堆得稳、堆得快、堆得便宜才重要。

真正让韩国业界坐不住的，是2025年的一则合作消息。三星宣布，第10代V-NAND（400层以上）要采用长江存储的混合键合专利授权。

这可不是普通的技术采购，而是韩国最大的存储厂，第一次要给中国同行付专利费。消息传出来的时候，韩国半导体圈的老工程师们私下都在议论。

有位在SK海力士干了二十多年的技术前辈后来接受采访时感慨，说自己入行的时候，中国厂连正经的DRAM都做不出，如今风水轮流转，谁能想到呢。其实不止三星。

SK海力士、美光、铠侠这几家在最新一代闪存的路线图里，都不同程度地引入了类似"逻辑和存储分离键合"的思路。混合键合从长江存储起步的时候还是"另类"，如今已经变成了全行业的默认答案。

DRAM这一边，故事的主角是长鑫存储。它起步比长江存储还要晚一些，2016年前后才在合肥站稳脚跟。

前几年做的还是DDR4，人家韩国厂都开始铺DDR5了，中间那道墙一度让人觉得很难翻过去。转机出现在2025年。

长鑫正式宣布DDR5量产，虽然还是比三星、SK海力士晚了两年左右，但节奏一下就跟上来了。紧接着LPDDR5X也顺利上量，LPDDR6更是抢先在小米18 Fold这样的旗舰机上完成了首发亮相。

对手机厂来说，能用上国产内存不只是"支持国产"这么简单，而是实实在在的供货保障。这两年AI火起来之后，三星和SK海力士把大部分产能都拨给了HBM和企业级SSD，通用内存反倒供不应求。

长鑫、长江存储正好从这个缺口里挤了进去。数据也说明了问题。

今年一季度全球通用DRAM的价格环比暴涨了将近百分之百，PC和普通服务器都在闹"内存荒"。这时候你能把货稳定地供出来，市场份额自然就跟着涨。

不过话说回来，HBM这一块，中韩之间的差距还是明显的。

三星和SK海力士已经准备量产第六代HBM4，而长鑫的HBM3E只是刚开始试产。三年的距离，主要卡在两个地方——一是EUV设备拿不到，二是先进封装的良率还上不去。

HBM是个特别挑剔的东西。前端要有先进制程的DRAM颗粒打底，中间要有TSV打孔、微凸点、硅中介层这些封装技艺配合，最后还得过英伟达、AMD这些大客户的认证。

任何一环差一点，整体良率就崩了。而这中间最贵的那道工序——核心关键层的曝光——现在业内已经默认要用EUV。

DUV光刻机不是不能顶，只是越往后成本越离谱，良品率也难看。这道坎，短期内确实不好翻。但中国厂也没闲着。

既然设备买不到，那就跟本土的刻蚀、沉积、清洗、量测厂商深度绑定。这几年国产装备的比例悄悄爬到了百分之五十以上，虽然EUV和最前沿的浸润式DUV还得靠外面，但在非EUV的技术路线里，本土供应链已经能撑起消费级的生产了。

回过头看，五年前韩国半导体协会内部还在讨论"如何进一步拉开对华差距"，五年后同一个协会得亲口承认差距被压到了个位数。中间隔着的不只是几代产品，更是一整套竞争逻辑的翻篇。

过去韩国厂吃到的是"制程红利"——设备最先进，工艺最领先，客户跟着走。可当竞争进入3D架构和封装创新的阶段，谁能想出新点子、谁能把良率磨出来、谁能守住本土市场，就成了新的分水岭。

长江存储那位早年主抓Xtacking研发的技术负责人，前几年接受行业访谈的时候说过一句让人印象深的话：中国存储没有第二条路可以走，只能在别人不看好的方向上熬出来。如今再看这句话，多少有点先见之明的意思。

当然，谁也不会天真地以为差距就此消失。HBM那三年，光靠EUV这一关就够啃很久；DRAM那两年，也要看长鑫能不能把良率和成本进一步压下去。

这场追赶还远没结束，只是剧本已经和五年前完全不一样了。至于韩国那边，三星和SK海力士也在拼命跑。

HBM4的量产提上了日程，政府五万亿韩元的半导体基金也砸下来了。红利在流失，但底子还在。

真正的悬念是——当中国厂把闪存那一年的差距抹平之后，下一场对决，会从哪里打响？