长鑫的4F²，让三星跌8%、SK海力士跌11%——可韩国工程师冷笑：没有EUV根本量产不了，结果韩国股市当场用暴跌11%给出了答案。

10月10日，上海第四届集成芯片和芯粒大会。长鑫存储总裁曹堪宇站在台上，宣布了一个让首尔和华尔街同时震动的消息：长鑫计划在2026年底前推出采用4F²存储单元架构的DDR5 RDIMM服务器内存，融合自研垂直环绕栅极晶体管与混合键合技术。

消息传出的第一个交易日，三星电子跌8%，SK海力士跌11%。韩国媒体的标题写得很直白：“中国DRAM，越过EUV，直取下一代架构。”

但韩国工程师的回应比股价更值得听。成均馆大学教授权锡俊在社交媒体上指出，长鑫的声明里既没有“量产”，也没有“样品”，应该被解读为“发布公告”，而不是“量产启动”。

他预计有意义的量产规模最早要到2027年底，更现实的时间是2028年上半年。量产服务器DRAM需要跨过的门槛，不是造出一颗芯片，是良率和客户认证。而在良率和客户认证之外，还有一堵墙，比EUV禁令更难绕，那就是基础专利。

当前主流的DRAM存储单元是6F²结构，一个单元占6倍最小特征面积的平方。4F²把单元面积压到4倍，理论密度提升30%到50%。但这不是简单地把现有结构等比例缩小。

传统6F²的晶体管通道是水平放置的，4F²需要把通道竖起来，从根本上改变器件结构。设计规则、工艺流程、器件模型，全都要重写。

长鑫的解法是自研垂直环绕栅极晶体管，配合晶圆级混合键合，在不依赖EUV光刻的前提下，用DUV多重曝光和架构创新实现密度跃升。长鑫自2019年起推进混合键合自主研发，已公开专利数量居全球前十。

在4F²架构上，长鑫自成立起就启动了研究和专利布局，曹堪宇本人披露，公开专利族超过300件，数量领先海内外厂商。

300件专利族，这个数字本身说明长鑫不是没有准备。它知道4F²这条路绕不开专利问题，所以从第一天就在攒筹码。问题在于，攒筹码和赢牌局是两回事。

专利墙在，长鑫的300件，对上的是三星和美光的基础专利。4F²不是一个新概念。三星、SK海力士、美光在这个方向上的研究，比长鑫早得多。SK海力士在2025年6月的IEEE VLSI研讨会上首次公布了4F²技术路线图，计划用于10纳米及以下节点。

三星把10纳米以下4F² DRAM的量产目标定在2028年。美光在DRAM领域的基础专利积累，是几十年持续投入的结果。

美国银行在分析苹果测试长鑫DRAM时，专门列出了三大限制因素，其中第三条就是专利诉讼风险——三星、SK海力士和美光拥有大量DRAM相关知识产权，可能将客户卷入专利侵权诉讼。

这不是针对长鑫一家的警告，是DRAM行业的常态。这个行业在过去几十年里，专利交叉授权和专利诉讼交替出现，头部厂商之间的法律战从未真正停过。三星和Netlist的专利纠纷最终以一份5年8.97亿美元的交叉许可协议收场，Netlist还拿到了三星的股票。

这个价格标签说明了一件事，在DRAM这个领域，专利不是纸面上的权利，是可以被定价的谈判筹码。

长鑫的300件4F²专利族，能不能覆盖三星和美光在4F²基础架构上的核心专利？答案大概率是否定的。基础专利通常指向最底层的结构原理和制造方法，后来的改进专利很难绕开。长鑫可以设计出自己的垂直晶体管，可以开发自己的混合键合工艺。

但只要4F²架构的底层原理指向三星或美光早年申请的核心权利要求，长鑫的产品进入大规模商业化阶段时，就可能触发专利许可谈判或诉讼。

韩国工程师质疑长鑫“无EUV良率极低”，这个质疑有技术依据。DUV多重曝光做4F²，需要多次光刻和刻蚀循环，每一次循环都引入误差累积，良率控制的难度远高于EUV单次曝光。长鑫的DUV四重曝光路线能跑通实验室样品，不代表能在量产线上跑出可接受的成本和良率。

但良率是可以靠工程迭代解决的。长江存储在被制裁后，用DUV和架构创新在NAND领域证明了这一点。长鑫自己在混合键合上的积累，也为4F²的晶圆级集成提供了基础。技术问题假以时日可以攻克，专利问题不会因为工程能力提升而自动消失。

更微妙的是，长鑫的4F²产品瞄准的是服务器DDR5 RDIMM，客户是数据中心和云厂商。服务器客户对供应链的专利合规性审查，比消费电子客户严格得多。

苹果测试长鑫DRAM的消息传出后，美银的判断是，即便苹果用上长鑫的芯片，也只会局限在低端机型，因为“专利诉讼风险可能将苹果卷入纠纷”。如果连苹果都在意这个风险，亚马逊云、微软云、谷歌云在采购长鑫服务器内存时，法务部门的尽职调查只会更严。

专利风险不是长鑫一家的风险，是长鑫客户的共同风险。客户不会替长鑫扛诉讼，他们只会选择不买。

DRAM行业的专利格局，从来不是“谁技术领先谁通吃”。它是一个由交叉授权协议维持的均势体系。三星、SK海力士、美光之间互相持有大量专利，彼此之间通过交叉授权降低诉讼成本。

新进入者要打破这个均势，只有两条路：一是拿出足够多的核心专利，让对方愿意跟你交叉授权；二是准备好打一场持续数年的专利战，同时承担客户流失的代价。

长鑫的300件4F²专利族，是一个开始。但够不够让三星或美光坐到交叉授权的谈判桌前，取决于这些专利里有多少是别人绕不开的，而不是长鑫自己用得到的。数量领先不等于质量领先，专利族的规模不等于专利的强度。

更现实的问题是时间。长鑫计划年底推出产品，2027年到2028年进入有意义的量产阶段。如果在这个窗口期内，三星或美光发起专利诉讼或要求专利许可谈判，长鑫的量产节奏和客户认证进度都会被打乱。

工程团队可以加班解决良率问题，法务团队加班解决不了专利侵权。专利战的节奏不由长鑫控制，由对手的律师团队控制。

长鑫的4F²架构，是在EUV禁令下用DUV和架构创新硬啃出来的一条路。这条路的工程难度极高，长鑫走通了实验室这一段，值得承认。300件专利族说明它没有忽视知识产权问题，也值得承认。

“技术跑通了”和“能大规模卖出去”之间，隔着的不是良率曲线，是专利墙。三星跌8%、SK海力士跌11%，市场在定价长鑫的技术突破。但真正决定长鑫能不能在服务器内存市场站住的，不是股价的跌幅，是法务部的尽调报告。

技术可以绕道，专利不能绕道。长鑫的专利布局跟上了300件，但够不够挡住那堵墙，要等第一批服务器客户的法务签字才能知道。

参考资料：长鑫科技官宣！4F² DRAM架构取得进展 专利数量超过海外厂商 年底将推出相关技术产品——财联社