三星电子发布zHBM和zNAND-O 展示新一代AI存储技术路线图

纽斯频通讯社首尔8月5日电 韩国三星电子4日首次公开新一代人工智能（AI）存储技术——zHBM和zNAND-O，并发布面向AI时代的新一代存储技术路线图。三星电子计划凭借新型三维（3D）存储架构，进一步提升AI基础设施领域竞争力。

三星电子V10 BV-NAND产品。【图片=三星电子提供】

三星电子表示，公司于当地时间4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的2026未来存储与存储器大会上首次向业界展示新一代3D存储架构zHBM和zNAND-O的模型（Mock-up）。

据介绍，zHBM采用全新的垂直堆叠设计，将存储器置于AI加速器上方，而非传统的并列布局，从而缩短存储器与处理器之间的数据传输距离，提高带宽利用率和能效。

三星电子表示，基于zHBM的新一代接口系统性能最高可达到HBM5的8倍，能效最高提升3倍，热阻降低一半以上，有助于提高高性能AI系统运行稳定性。同时，通过在存储器与AI加速器之间的中间层集成客户定制化知识产权（IP），可进一步提升存储容量并优化系统性能。

在NAND闪存领域，三星电子同步发布了新一代高性能闪存解决方案zNAND-O。该产品采用硅通孔（TSV）技术，可实现4层或8层堆叠，面向端侧人工智能（On-device AI）应用，具备更高的数据处理能力和更快的响应速度。

此外，三星电子还首次展示了采用400层以上超高堆叠结构的第十代"V10 BV-NAND"。该产品采用晶圆键合（Wafer Bonding）和三层堆叠（3-Stack）技术，存储密度较上一代产品V9提升约58%，读取、写入性能及输入输出（I/O）速度均得到提升。

展会期间，三星电子还展示了HBM4E、HBM5模型、LPDDR5X-PIM以及企业级固态硬盘PM1763、BM1773等面向AI数据中心的存储产品。其中，HBM5采用新型散热技术HPB（Heat Path Block），进一步提升了产品带宽和容量。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社