14纳米FinFET技术，中国自主研发的芯片工艺追上国际主流技术！

背景：首先按照惯例，简单介绍一下芯片发展史。

活跃设计及投片项目的增长图

上一代传统的 2D电晶体架构发展至 28 纳米工艺节点后，因其物理限制导致很难再将该技术往下微缩，所谓的 22 纳米工艺其实也是 28 纳米工艺的延续。传统平面的晶体管采用的是FD-SOI工艺。

因此，28 纳米也常被称为是依循传统摩尔定律的最后一个技术节点。

然而！全新的3D电晶体架构代替了2D电晶体架构，使得摩尔定律再次往下延伸。

鳍式场效应晶体管

可以理解为这种3D电晶体架构我们称为称为FinFET技术工艺。（FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor)，其中的Fin在构造上与鱼鳍非常相似，所以称为“鳍式”，而FET的全名是“场效电晶体”）。

22纳米第三代酷睿处理器

英特尔从22纳米第三代酷睿处理器上使用FinFET工艺，三星在14纳米工艺世代、台积电在16纳米工艺开始使用FinFET架构，联电在14纳米导入，GlobalFoundries14纳米FinFET技术则是三星的技术授权。

中芯国际梁孟松

纵观2018年全球半导体产业，无论是10纳米或是7纳米工艺，也都是采用FinFET技术架构。

中国芯

2018年8月9日，中芯国际最新一季度财务报告明确宣布：14纳米FinFET技术获得重大进展，第一代14纳米 FinFET 技术已经进入客户导入生产阶段，中芯国际14纳米FinFET技术成为目前中国自主研发的最高端工艺技术。

此技术工艺追平了台积电位于南京16纳米FinFET技术12寸厂。

不能不说中芯国际好消息传出，为国内自主研发芯片发展注入全新动力。

这当然不是宣传层面上的激励，而是实实在在的成果。

14纳米FinFET技术已经进入客户导入生产将我国自主研发芯片发展带入一个全新的时代。

中芯国际目标是将该技术导入量产，有望在2019年进入量产，并将逐步在2019年推出第二代的 FinFET技术。

FinFET

中芯国际第二代 FinFET将可能直接跳过传统业界的“10 纳米”，直接进入“9 纳米”或是“8 纳米”工艺节点。为“7 纳米”做好准备。

中芯国际

因为“10 纳米”和之前的“20 纳米”一样只是过渡工艺，7nm才是下一个高性能节点。

7nm FinFET工艺相比有目前的16/14nm FinFET，电路集成密度可以增加超过1倍，性能则可以提升30％。

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