晶能成功制备硅衬底红光Micro LED，全彩化关键突破

日前，晶能光电成功制备了红、绿、蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列，在Micro LED全彩芯片开发上前进了关键一步。

微米尺寸的MicroLED制备已经脱离了普通LED工艺而进入了IC制程。大尺寸硅衬底GaN晶圆具有低成本、兼容IC制程、易于衬底剥离等核心优势，已成为Micro LED制备的主流技术路线。在国际上，Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等公司都在专注于硅衬底Micro LED开发。主要消费电子产业巨头更是在这一领域投入大量资源，以期在AR、VR等可穿戴设备的巨大市场中拔得头筹。

Micro LED走向大规模应用要求高良率和高光效的红绿蓝三基色Micro LED芯片。目前绿光和蓝光的GaN材料体系已经成熟，并满足Micro LED制程开发的要求。但对于红光Micro LED，传统的红光AlInGaP体系因为其材料较脆和侧壁上非辐射复合严重，面临着良率和光效两方面的重大技术瓶颈。所以，开发InGaN基红光LED，特别是大尺寸硅衬底上InGaN基红光LED被业界寄以厚望。

晶能光电的芯片总监黄涛介绍，本次报道的硅衬底InGaN红、绿、蓝Micro LED阵列的像素点间距为25微米，像素密度为1000PPI，在10A/cm2电流密度下的峰值波长分别为650nm、531nm、和445nm。InGaN红光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波长）为3.5%，EL的半高宽为70nm。晶能光电这一成果发布，标志其成为国内首家实现硅衬底GaN基三基色Micro LED的生产企业。

图为硅衬底GaN基RGB Micro LED阵列

晶能光电外延副总裁付羿表示，晶能光电是全球最大的硅衬底GaN基LED生产企业，十余年来持续引进人才以保证硅衬底GaN产业技术升级迭代。目前晶能光电的硅衬底GaN基LED产品已经覆盖了从365nm到660nm的可见光范围，并且实现了优秀的量产良率、波长集中度、光效、和可靠性。2018年，晶能光电开始硅衬底Micro LED开发。付羿表示，晶能非常重视硅衬底GaN基Micro LED在AR/VR产业上的巨大应用前景，但必须要持续努力去解决诸如InGaN红光光效、发光半高宽、和最终的全彩化方案等关键问题，而且需要整个产业链的协同，才能实现Micro LED显示技术的规模应用。

图为硅衬底GaN基RGB Micro LED归一化光谱

图为硅衬底GaN基RGB Micro LED归一化光谱