美光发布首款HBM内存方案，将与三星海力士一较高下

Anandtech消息，在最近的一次财报电话会议上，美光表示今年晚些时候将推出其首款HBM DRAM方案。HBM（High Bandwith Memory）适用于需要高内存带宽的应用场景，比如旗舰级的GPU，还有网络处理器。

美光是第三家进入HBM市场的内存厂商，前两家是三星和海力士，作为为数不多的内存厂商，有理由相信HBM2肯定将出自这三家之手。

总体而言，虽然美光一直处于全球存储技术的前沿，但美光在HBM方面有些滞后。之前美光的主要精力在于GDDR5X上，以及使用了Hybird Memory Cube（HMC）的快速堆叠内存上。

2011年，美光在与三星和IBM的共同努力下推出了HMC，HMC是一种类似堆叠式的DRAM，主要用于对内存带宽有特别需求的应用，特点是宽度总线低但是数据传输速率极高，带宽远远高于当时主流的DDR3。

很明显，HBM和HMC是竞争关系，HMC在市场确实有一些应用，比如在加速器和超级计算机等产品中。不过，现在看来，HMC还是输给了用的更广泛的HBM/HBM2。

美光在2018年放弃了HMC，转而支持GDDR6和HBM。

兜兜转转，美光用了两年时间终于开发出了HMB2内存设备，2020年将正式推出。目前，美光还没有具体说这个产品的详细参数。

不过，可以肯定的是，它将会采用第三代的10nm制程技术，将会在性能和容量方面与三星和海力士一较高下。