重大突破！国产ArF光刻胶诞生

近日，由南大光电生产的ArF光刻胶正式通过验证，标志着国内初步具备生产高端光刻胶的能力。

ArF光刻胶研发的成功有什么重要意义呢？

光刻胶是应用在芯片生产过程中的光刻步骤，是由光敏剂、树脂、染剂、溶剂、附加剂混合而成的液体。

按照曝光波长分类，光刻胶可分为g线（436 nm）、i线（365 nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）及新兴起的EUV（13.5 nm）光刻胶5大类，目前主流是ArF光刻胶。

从光刻胶市场来看，国内光刻胶自给率极低，据统计，适用于6英寸硅片的g线/i线光刻胶的自给率约20%，适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%，而适用于12英寸硅片的光刻胶完全依赖进口，最先进的EUV光刻胶由少数几家海外公司掌握。

此次南大光电生产的ArF光刻胶可应用在90nm-14nm，甚至7nm技术节点的集成电路制造工资，这一技术重大突破，归功于国内企业持续的研发投入。

目前南大光电的“ArF 光刻胶产品的开发和产业化”项目已于今年7月份通过国家02专项专家组的验收，其产品分别通过一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业客户认证，并已经建成了年产25吨的ArF光刻胶产品生产线，为ArF光刻胶的规模化量产奠定基础。

光刻胶取得可喜技术突破的同时，我们应该清醒的认识到国内半导体光刻胶和国外先进技术的差距，继续推进光刻胶技术的研发，相信不久的将来一定可以取得实质性的进展和突破。