[初探半导体产业]“光刻”和“刻蚀”区别大揭秘

最近好多人都被“光刻”“刻蚀”这两个名词给弄糊涂，今天就重点讲解下他们的不同。

整个光刻的流程：

1 晶圆上先将用于刻画电路的材料进行薄膜沉积，在薄膜上沉积光刻胶。

2 根据掩膜版的电路设计，通过光照对晶圆进行光刻，受光刺激的光刻胶留存，其他地方则将需要刻蚀的材料暴露在外，该步骤称作显影。

3 随后即利用刻蚀步骤，对暴露在外的材质进行去除， 留下晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶，然后再将光刻胶通过刻蚀去除。

4 此后多次重复上述步骤，得到构造复杂的集成电路。

综上：从上图可以看出，光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形，即将图形转移到硅片表面。

光刻-对光刻胶处理

刻蚀-对硅片处理