单芯片带宽将达 900 GB/s HBM3 内存研发积极推进中

原为韩国现代旗下的 SK 海力士是现在韩国两大内存芯片巨头之一，本周该公司在其 HBM2E 介绍页面中透露了 HBM 3 内存发展计划。

SK 海力士当前生产的 HBM2E 内存采用 1y nm 制程生产，引脚传输速率为 3.6Gbps，每枚 HBM2E 芯片提供了 1024 只引脚，单芯片带宽高达 460GB/s，是目前世界上带宽最高的内存芯片。

不过 SK 海力士已经在进行下一代 HBM3 内存的研发，目前的目标是单引脚速率 5.2Gbps，相当于每枚芯片能提供高达 650GB/s 的带宽，相比之下，昨天发布的 RTX 3070 上面有 8 颗 GDDR6X 内存，但是带宽也不过是 608GB/s（为此 3070 Ti 还额外增加了数十瓦的功耗）。

5.2Gbps 并非 HBM 3 的终点，按照其他公司的计划，HBM 3 的最终目标是 7.2Gbps，相当于每枚 HBM 3 内存能提供 900 GB/s 的内存带宽，

值得一提的是，SK 海力士去年从 Xperi Corp 获得了名为 DBI Ultra 的总线技术，该技术能应用于包括 HBM 3 和 GPU 在内的高速连接应用里，能实现每平方毫米 10 万到 100 万条的芯片堆叠互连，堆叠层数可以达到 16 层，这要是火力全开的话，未来芯片的内存带宽约束问题似乎也就迎刃而解了（想想就好了）。