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关注科技圈的朋友都知道，当前10nm制程及以下领域已经被台积电和三星垄断，而不论是台积电还是三星，他们的高端芯片制造技术都离不开荷兰ASML公司的EUV光刻机。

就拿台积电来说，其赖以生存的就是FinFET工艺，从16nm开始台积电就在应用并不断完善这种工艺。不过这种工艺也有限制，那就是在7nm以下高端芯片制造领域必须借助EUV极紫外光刻机。

那么中芯国际是怎么做的呢？那就是在EUV光刻机迟迟不能到货的情况下，独辟蹊径的自主研发出了N+1，N+2代FinFET工艺。

中芯国际传来消息

此前，根据中芯国际联席CEO梁孟松博士的说法，中芯国际N+1工艺相比于台积电14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%，N+2代工艺性能提升只会更大。

当时外界的说法就是中芯国际N+1代工艺相当于7nm芯片，不过这个说法后面被中芯国际出面否认了。因为N+1工艺与业界公认的7nm工艺还是存在性能差距，N+1工艺20%的性能提升不如业界35%的提升。

不过就在近日，中芯国际N+2代工艺开始小规模试产，这种工艺生产出来的是芯片比起业界公认的7nm芯片来说可谓是只强不弱！

近日，中芯国际公布了其在12月4号下午对投资者进行的回答，中芯国际明确表示其不仅N+1工艺在去年底就进行了量产，就连N+2工艺目前也进入了小规模试产。

要知道，在今年10月份的时候，芯动科技（INNOSILICON）才刚刚宣布完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试。

当时对外透露的消息是，中芯国际N+1工艺所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。令人没想到的是，刚刚过去两个月，中芯国际N+2代工艺就进入了试产阶段！

这次不需要EUV光刻机

为什么大家对中芯国际N+2代工艺如此关注呢？因为中芯国际联合主席梁孟松博士此前就已经透露，不论是N+1代工艺还是N+2代工艺都不需要EUV光刻机！

众所周知，荷兰ASML公司是全球唯一可以生产EUV光刻机的厂家，而中芯国际早在2018年就已经向ASML公司订购一台EUV高端光刻机，但是一直到现在都没有到货。

此次中芯国际N+2代工艺的试产，意味着中芯国际将有能力绕开EUV光刻机的限制自主制造高端芯片。

当然，即便不需要EUV光刻机，普通光刻机还是离不开的。所以中芯国际这里的N+2代工艺突破还有更重要的意义。

近一段时间，袁岚峰博士在一档节目中就对芯片产业发表了自己的看法，他认为很多人都低估了高端芯片制造的难度，并且表示中国只要在10年内能够把芯片制造水平提升到当前世界一流的程度就是巨大的成功。

但是他同时也说了，高端芯片制造难度之所以大，主要还是因为卡在了光刻机、光刻胶等关键技术上。

而现在，中芯国际自主研发的N+1，N+2代工艺可以绕开EUV光刻机，即便是普通光刻机也能制造出业界公认的7nm芯片。这是不是意味着我们只需要制造出高端一点的普通光刻机就可以有望提前完成10nm及以下高端芯片的自主化呢？

写在最后

科技的发展自有一套客观规律，我们不能过度地高估自己，乃至于违背客观发展规律地去“自吹自擂”。但是同样地，万事无绝对，科技的变迁往往就发生在一刹那，或者是在一个小细节的不同上。

如今，台积电、三星等巨头已经走出来了一条路，但是既然EUV光刻机到不了货，中芯国际也未尝不能走上另外一条路。

​我们不“弯道超车”，“换道超车”总行吧？