支持5G手机应用，美光推176层堆栈NAND Flash UFS 3.1解决方案

美商内存厂美光科技于30日宣布，全球首款采用176层堆栈的NAND Flash通用闪存存储UFS 3.1行动解决方案已正式量产出货。通过较前几代快75%的循序写入和随机读取性能，专为高端和旗舰级手机打造的美光UFS 3.1独立行动通用闪存将能彻底释放5G的潜力，经测试，能在短短9.6秒内完成一部2小时的4K电影下载。

美光指出，新推出的176层堆栈NAND Flash设计精巧，能满足移动设备对高容量、小尺寸解决方案的需求。此次发布前，美光采用176层堆栈的NAND Flash PCIe Gen4固态硬盘已于6月量产供货，为专业工作站和超薄笔记本提供高性能、设计弹性和低功耗等优势。如今进一步应用于智能手机上，美光领先业界的先进NAND Flash技术和性能将可通过跨应用程序的多任务处理，为用户实现更即时的行动体验。

美光行动业务部资深副总裁暨总经理Raj Talluri表示，5G为移动设备提供数千万亿位元的速度，其中，高性能硬件基础对于驱动光速般的移动设备体验而言至关重要。借由无与伦比的性能，美光突破性的176层NAND Flash技术能在弹指之间为消费者带来丰富的多媒体内容。

美光强调，新的176层堆栈NAND Flash UFS 3.1解决方案提供较前几代快75%的循序写入速度和快70%的随机读取速度，可显著提升应用程序性能。并且具备高达1,500 MB/s的循序写入性能，经测试能够支持在0.7秒内下载10分钟的4K（2,160像素）YouTube流媒体视频，或在9.6秒内下载2小时的4K电影。

而与前一代相比，美光的176层堆栈NAND Flash UFS 3.1解决方案及其优秀的服务品质可改善约10%的延迟，提供更快速的反应时间与更可靠的行动体验。此外，与前代产品相比，美光176层行动解决方案提供两倍的写入总位元数，这代表在不降低设备可靠性的情况下，可以存储两倍的资料量，即使面对重度用户，也可以延长智能手机的使用寿命。目前，美光176层堆栈NAND Flash UFS 3.1解决方案独立行动通用闪存现已上市，有3种不同的容量配置：128GB、256GB和512GB。