骁龙 895 开始流片：台积电 4nm 工艺、性能提升 20%，同样发热严重

8 月 12 日，爆料大神 @evleaks 放出了高通骁龙 888 继任者（产品代号 SM8450，暂称 895 ）芯片的详细情报。

高通骁龙 895将基于 4nm 工艺打造，然而业界对代工方却众说纷纭。从目前供应链和爆料者的说法来看似乎是今年年底采用三星 4nm LPE 工艺，明年年中（下半年出货）采用台积电 4nm 工艺（或为 895 Plus 芯片）。骁龙 895 虽然升级到了 4nm 制程，发热并没有太多改善，而性能提升可达 20%

此前有消息称高通骁龙 895 和 Exynos 2200 均将采用三星 4nm LPE 工艺打造，不过三星的 4nm LPE 工艺其实是 5nm LPA（第三代 5nm）方案改名而来，实际上两者在性能上却没有太大不同。

相比骁龙 888，新一代 SM8450 升级到了 Arm v9 架构，GPU 也从 Adreno 660 升级到 Adreno 730，预计这 20% 的提升是由此而来。