2030年实现EUV光刻机国产化！打破技术封锁，追赶荷兰ASML

在未来的5G时代里，芯片变得越来越重要，想要成功生产出合格的芯片，光刻机是必不可少的存在，没有它的辅助，再高端的芯片也没办法面世。但中国的芯片领域起步较晚，光刻机就更不必说，因此高端的光刻机都被西方的科技巨头们所垄断，掌握光刻机的自研显得尤为重要。

我国目前最先进的光刻机是上海微电子的SSA600系列，SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。

但我国最先进的光刻机距离国外巨头所生产的光刻机仍有很大的距离。ASML的光刻机超过90%的零件向外采购，整个设备采用了全世界最先进的技术，是多个国家共同努力的结果，比如德国的光学设备和精密机械，美国的计量设备和光源设备。一台7nm EUV光刻机包含了5万多个零件，13个系统，需要把误差分散到这13个子系统中，所以每个配件必须非常准确。

ASML占领全球80%的市场，而且最先进的EUV光刻机只有这家公司生产，华为的麒麟980处理器、苹果的A12处理器、高通的骁龙855处理器均是台积电代工厂使用ASML的7nm光刻机生产的。据说，ASML已经开始生产5nm制程的光刻机了。

不过最关键的是，生产光刻机所需要的关键零件，对我国是禁运了，大大制约了我国光刻机技术的发展。

但随着芯片制程越来越小，技术越来越难，摩尔定律放缓，台积电4年后可以实现2nm量产，而ASML的第二代EUV系统预期2024年问世，2030年实现1.5nm光刻。而这对于我国来说，是一个实现超车的好机会，2030年实现EUV光刻机国产化的计划应该能够实现。

为了实现EUV光刻机国产化，我国也是举全国之力。长春光机所联合中国科学院光电技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学开展了"极紫外光刻关键技术研究"项目研究工作。他们在极紫外光刻关键技术上取得重大突破，构建了EUV光刻曝光装置，建立较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台。

总而言之，相比德国、日本和美国，我国的芯片制造以及超精密的机械制造方面有一定的差距，但科研工作者们也在很努力的去改变现状，希望我国早日能自研出高端光刻机。