中国“光子芯片”迎突破

为了解决半导体芯片领域被国外技术“卡脖子”的问题，近年来国内提出了很多全新的发展方向。例如之前中科院打造的8英寸石墨烯晶圆，就提供了碳基芯片的可行性，只是要将其从实验室转到可量产环节，还需要一定的时间，不是那么容易就能完全攻克的。

可能很多人都在想，如今硅基芯片依旧是主流，国内为什么要去研究其它材料？难道说已经默认了在硅基芯片方面的落后吗？其实不然，就目前的情况来看，国内对硅基芯片同样非常重视，并且还为此制定了完善的计划和长远的目标，肯定不会放弃。

只是发展到现在这个阶段，硅基芯片暴露出了一些问题，国内必须寻找新型半导体材料，才能在未来的研发工作中占据先机。比如说当前最先进的硅基芯片，已经达到了3nm制程，要不了几年就会突破至1nm，到时候摩尔定律很有可能失效，硅基芯片也无法再向前进步。

因此，不止是我们国内，世界上其它国家，也非常重视对新型半导体材料的研发，上述的石墨烯晶圆只是个例，还包括碳化硅等等。而除此之外，国内还有一个好消息，那就是中国“光子芯片”迎突破，为半导体产业带来了全新的思路和方向。

与传统硅基芯片不同的是，光子芯片并不是利用电子来传输能量，而是通过光量子来进行能量转移。虽然人类对电子芯片的研究，已经是非常成熟了，但光量子要比电子更具优势，无论是整体性能，还是实际功耗，光子传导的表现都要优于电子传导。

而根据最新报道显示，中科大在光量子芯片领域取得了进一步的突破，国内的光子芯片研究进程，已经走在了世界的前沿。尽管目前这些与光量子芯片有关的成果，基本上都处于实验室环境，但相信在国内的不懈努力下，它们总有一天会变成现实。

其实早在2018年的时候，国内就研发出了第一个光量子芯片，只不过当时硅基芯片的影响力太大了，所以这项技术并没有引起重视。而现在看来，硅基芯片距离摩尔定律的物理极限越来越近，新型半导体材料的登场指日可待，光子芯片自然能发挥出重要的作用。

因此，不难预料，如果国内能够保持对光子芯片的主动权，未来一定能够实现弯道超车，彻底摆脱国外技术的限制，并成为全球半导体市场的中心。

美国提议共享技术

此外，值得一提的是，对于中国“光子芯片”取得的突破，美国方面曾提议共享技术，要求我们国内展示出光子芯片方面的成果。对此，很多国人都表示，谁给的勇气？美国有什么资格提议共享技术，它才是最大的“毒瘤”。

大家都知道，去年下半年，为了针对华为公司的发展，美国不惜举全国之力，制定了一个新的规则，彻底切断了华为的芯片供应链。这个规则同样对国内的半导体产业造成了不利的影响，可以说正是因为美国的无理行为，国产芯片才会面临这么大的压力。

而现在国内在光子芯片领域有了新的进展，美国又想共享技术，这无疑是不可能发生的事。因为国内早已看清了美国的真面目，凡是其它国家的先进技术，美国都会想方设法地获取；但是自己手中的技术，却不会给别人使用，典型的“双标”行为。

写在最后

综上所述，国内在光子芯片方面的突破，对于国产芯片事业而言，自然是一个非常好的消息，可以为那些受制于美国规则的半导体公司，带来新的转机。至于美国提议共享技术，国内完全可以不必理会，也不知道是谁给它的勇气。

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