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关注科技圈的朋友可能都知道，近来科技圈不太平，好消息虽然不是没有，但是坏消息更多。

而在近日，终于传来两个振奋人心的好消息，关于中国半导体产业的发展，我们也有了更为充足的信心！

第一个好消息：任正非到访中科院

首先就是第一个好消息，任正非到访中科院，与包括中科院院长白春礼在内的专家学者们进行了一次深度的座谈会交流。

根据国家科技促进发展局的消息，华为创始人、董事长、CEO任正非于9月17日下午到访中科院，并且围绕基础研究以及关键技术领域突破与中科院专家进行了深入交流。

在座谈会上，院长白春礼也对华为进行了高度的赞扬，他称：“华为是中国的品牌，更是民族的骄傲，取得了非凡的成就，期待双方的紧密合作。”

那么任正非此次到访中科院有什么意义呢？其实主要有两重意义。

第一重意义：针对关键技术领域的突破。在卡脖子这方面华为是非常有经验的，此次座谈会就是让任正非把有难度的关键技术点列出来，由实力雄厚的中科院进行攻关。

比如在芯片制造领域中巨头重要地位的光刻机，白春礼院长就已经表示，在“率先行动”的第二个阶段，将集中全院力量，对光刻机、航空轮胎、轴承钢等关键技术领域进行系统攻关，彻底打破“卡脖子”局面。

第二重意义：公开表态力挺华为。中科院是中国自然科学最高学术机构、科学技术最高咨询机构，拥有中国最顶尖的一批科研人才，代表的是国家队。

如今任正非代表华为到访中科院，就表示国家队已经下场了，将鼎力支持华为，帮助华为解决“卡脖子”问题。换句话说，华为不再是单打独斗，背后将拥有庞大的国家科研团队支持！

第二个好消息：中芯国际8nm芯片年底试产

第二个好消息则来自于中芯国际，根据国内媒体报道，中芯国际在9月18日回答社会提问时正式宣布了一则好消息，中芯国际第二代N+1技术已经进入客户导入阶段，预计年底就可进行小批量试产！

什么是N+1技术？我们都知道，中芯国际早在2018年便向荷兰ASML公司订购了高端光刻机，并且支付了相应的定金，但是一直到现在这台高端光刻机都没有进厂。

因此，中芯国际在技术大牛的带领下开始另辟蹊径，自主研发的了“N+1”技术，寄希望于通过这种技术绕开高端光刻机。

而这次，就是中芯国际“N+1”技术的突破！如果按照规格来算的话，中芯国际N+1工艺制造出来的芯片比台积电14nm工艺性能提升20%，功耗降低7%，面积缩小63%，相当于台积电的8nm芯片。

当然，虽然性能和大小相当于台积电的8nm，但是由于年底才开始小规模试产，所以在良品率上和台积电工艺暂时还是没法比。

不过这对于中芯国际而言也是一个巨大的突破，因为这代表“N+1”工艺的可行性。据悉，中芯国际还在自研“N+2”工艺，相当于台积电7nm制程。如果N+2工艺也能实现量产，那么在被卡脖子最为严重的7nm 芯片领域也将实现自产自销！

写在最后

都说芯片制造很难，荷兰ASML公司总裁说：“给中国人图纸也造不了高端光刻机”（怎么不给一个试一试？），台积电创始人张忠谋说：“即便中国大陆以举国之力发展芯片制造，也很难取得成功”。

但是他们或许忘了，芯片是人造的，不是神造的，更不是外星人造的！中国科学家有能力，有信心，也有决心解决芯片制造被卡脖子的难题，正如此前的两弹一星，盾构机！

更何况在光刻机方面我们也不是“一穷二白”，上海微电子在今年6月份的时候就已经宣布，2年内即可下线28nm国产光刻机（28nm光刻机并不是只能造28nm芯片）。到时候再配合中芯国际自研的“N+1”技术，7nm芯片还是问题吗？

本期讨论：大家认为两年内是否有可能完成7nm芯片量产？欢迎评论区留言交流、点赞、分享。