“超车”真的很难!台积电正式宣布,三星无奈还是晚了一步

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我们都知道,随着芯片行业的竞争加剧,各大厂商之间的竞争早已从市场转向供应链。就目前来说,在芯片制造这一块,台积电是当之无愧的全球第一,其次则是一直想着“超车”的三星。

“超车”真的很难!台积电正式宣布,三星无奈还是晚了一步

三星“狠砸”1158亿美元

关注半导体行业的网友可能都知道,早在去年4月份的时候,三星就放出了狠话,将在未来10年内一举超越台积电,成为全球第一大半导体制造厂商,为此三星也是十分大手笔的“狠砸”133兆韩元,约合1158亿美元。

据悉,三星预计从2020年开始使用这笔投资,其中73兆韩元将主要用于国内研发,60兆韩元将用于生产基础设施,预计每年的平均投资花费在11兆韩元。

“超车”真的很难!台积电正式宣布,三星无奈还是晚了一步

更重要的是,在半导体制造领域三星也一直想要“弯道超车”,以至于在很早的时候,三星就已经表示,将会在3nm技术上提前导入GAA技术。

什么是GAA技术?为什么说三星宣布提前导入GAA技术是想要“弯道超车”呢?

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以台积电为例,目前台积电使用的自己发展多年的FinFET技术,该技术从45nm时代就已经开始使用,其最大的优势就是稳定。但是随着物理极限的到来,5nm差不多就是FinFET技术的极限了,所以台积电已经在日前宣布将会在2nm工艺上放弃FinFET技术,转而导入最新的GAA技术。

于是三星就有想法了,既然GAA技术才是未来,那么为什么不提前导入该技术呢?于是就在台积电宣布将在2nm制程导入GAA技术时,想要“弯道超车”的三星就表示将在3nm制程提前导入GAA技术。

台积电正式宣布

如果仅仅是从新技术的导入来看的话,三星是快人一步,但是近日随着台积电正式宣布几个大消息,三星无奈还是晚了一步!

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根据外媒报道,此次台积电一共宣布了三个消息:

  1. 台积电3nm工艺难关已经突破,预计2021年风险试产,2022年即可大规模投产。
  2. 台积电已经开始着手释放3nm产能,首波产能大部分将留给苹果,后面三波产能也正在被各大厂商预定,其中还包括老牌巨头英特尔。
  3. 台积电EUV光刻机采购量累计至2021年突破50台,而同期三星EUV光刻机数量不到25台。
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这三个消息,无论哪一个对于三星来说都不是什么好消息。首先,3nm工艺落后几乎已经既定事实,其次苹果和英特尔两大客户的订单也没有希望;最后在光刻机的数量比拼上更是完全落入下风。

要知道光刻机的数量就意味着芯片的产能,如此一来,制程落后,大客户缺失,产能也落后的三星还有希望完成“弯道超车”的目标吗?

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芯片制造面临“天花板”

不过三星也还是有希望的,一方面是因为三星提前在3nm制程上就已经导入了GAA技术;一方面则是因为根据摩尔定律推断,芯片制造行业的“天花板”已经到来。不管台积电、三星等厂商是否愿意,往后的半导体制造技术只会发展越来越慢。

根据专家的说法,目前以硅材料为主的硅芯片物理极限就是3nm,再往前的2nm和1nm就不仅仅是技术上的问题了,更重要的是材料。

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简单来说,之前是往不到拇指大的芯片上集成数以百亿计的晶体管,能在越小的面积上集成越多的晶体管,就代表着你的技术越先进。而接下来要想突破,将不再是缩小芯片面积或者增加晶体管数量,而是通过材料的改变,去创造更高性能的晶体管。

写在最后

虽然现在台积电暂时领先,但是却不能保证未来十年也能领先。并且可以预见的是,随着物理极限的到来,将会有越来越多的芯片巨头崛起。

“超车”真的很难!台积电正式宣布,三星无奈还是晚了一步

而且除去三星之外,我国的中科院也已经于近日宣布入局半导体制造。所以究竟谁能拔得头筹,至少还要等上3-5年才能见到一丝苗头。

本期讨论:大家认为台积电有可能被超越吗?为什么?

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页面更新:2024-05-20

标签:三星   光刻   英特尔   韩元   弯道   晶体管   产能   半导体   落后   芯片   数量   无奈   物理   极限   厂商

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