三星及台积电3nm芯片明年量产，中国当前首要目标是28nm国产化

三星宣布3nm GAA芯片成功流片，这是芯片制程工艺的一个重要提升。三星这颗3nm SRAM芯片用的是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米。三星称该芯片可以在明年量产，性能相比上一代有着30%的提升，而且功耗最多可降低50%。

我们都知道三星在先进制程工艺方面是稍微落后于台积电的，特别是5nm制程工艺落后于台积电至少半年以上，这个3nm芯片的量产日期显然还需进一步确认。

全球目前量产的最先进制程工艺是5nm，三星、台积电都在加速3nm制程工艺的研发。台积电原计划明年晚些时候量产3nm工艺，三星这次宣布的明年量产显然也是标定了明年这个时间点，这两家头部芯片企业的竞争太激烈了，谁也不甘落后。

3nm节点台积电选择的仍是沿袭FinFET晶体管技术，台积电现在的心态是游刃有余、闲庭信步；三星则选择了更激进的下一代GAA技术，意图来个弯道超车，压力较大。

GAA环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管）。该技术可以显著增强晶体管性能，有望取代目前主流的FinFET晶体管技术。

3nm赛道上，三星能否实现弯道超车台积电呢？让我们拭目以待。

台积电、三星芯片先进制程工艺的激烈竞争和快速发展，面临着摩尔定律极限临近这个问题。

与此同时，咱们中国的半导体技术整体上差距太大，赶超任务艰巨。但是当此中国科技发展的关键时刻，美国已经决意在芯片（半导体）产业给我们下绊子了。华为、中芯国际等中国领先的半导体企业，都已被美国拉进了黑名单，我们攻克先进芯片这个山头压力陡增。

华为已经因为美国的无理打压遭受重大损失，华为手机因缺芯而出货量跌落谷底；中兴则因美国打压近乎休克，不得不作出重大让步换取生存；中芯国际等中国芯片制造企业也被美国全面限制先进装备、技术、零部件的供应。

我们的芯片（半导体）产业独立自主之路已迫在眉睫，或许摩尔定律的极限临近是个机会。但当我们看到三星、台积电近乎垄断的企业仍在玩命研发和提升技术之时，就知道这个机会不容易把握。

5nm、3nm制程工艺短期内搞定或许只能是个梦想，28nm制程工艺的国产化才是我们现在的首要目标，其次才是14nm、12nm制程工艺的国产化。28nm、14nm制程工艺实现国产化，90%的芯片需求就可以基本满足，可以摆脱整个半导体产业对美国高度依赖这个巨大风险。有了这个产业安全的底线，才有机会和信心实现5nm、3nm甚至更先进制程工艺的突破。