3nm麒麟芯要来了？光刻机进口增长1.8倍！中国芯片将迎来新突破

中国芯片产业发展现状

近年来，中国政府高度重视芯片产业发展，将其列为国家战略。在国家政策的大力支持下，中国芯片产业取得了长足进步，但与国际先进水平相比，仍存在一定差距。华为、中芯国际、长江存储等龙头企业正在加大研发力度，着力突破3nm及以下先进制程工艺。

以华为为例，其下一代旗舰芯片麒麟9010将采用3nm工艺制造，预计2024年底完成设计。3nm工艺相比5nm工艺，晶体管尺寸更小、集成度更高、功耗更低，性能将有大幅提升。 3nm及以下先进制程芯片制造对设备要求极为苛刻，需要采用极紫外光刻机（EUV等先进设备，这正是目前制约中国芯片产业发展的关键瓶颈。

大规模进口光刻机等关键设备

为突破上述瓶颈，中国大规模进口光刻机等关键芯片制造设备。2023年，中国进口光刻机金额大幅增长，前三季度就达到53亿欧元，9月份同比更是增长18.5倍。 全年从荷兰进口光刻机金额高达72.3亿美元，同比大幅增长183.8%。

进入2024年，中国进口光刻机热情丝毫未减。1-2月，中国从荷兰进口光刻机32台，金额高达10.57亿美元，同比猛增256.1%。 值得注意的是，中国对荷兰芯片设备巨头ASML的光刻机需求尤为旺盛。2023年，中国进口ASML光刻机金额增加到600亿元，同比增长一倍。 即使在2024年初，ASML被禁止向中国出口先进的EUV光刻机，1-2月中国仍从ASML进口76亿元光刻机。

上述大规模进口行为，充分反映了中国芯片产业对先进制造设备的迫切需求。有业内人士，中国正在加快国产芯片制程工艺升级换代，以期在3nm及以下先进制程上实现突破，从而缩小与国际先进水平的差距。

有望实现3nm及以下制程突破

通过大规模引进先进制造设备，结合自主创新，中国芯片产业有望在3nm及以下先进制程上取得突破性进展。一旦实现3nm及以下制程量产，将极大提升国产芯片的性能和能效水平，推动中国芯片产业朝着自主可控的方向迈进。

具体来看，3nm工艺相比5nm工艺，晶体管尺寸缩小约18%，集成度提高15%，功耗降低25%-30%，性能提升10%-15%。 如果进一步实现2nm或更先进工艺节点，性能和能效将再获大幅提升。届时，中国芯片产业在智能手机、个人电脑、人工智能等领域的竞争力必将大幅增强。

突破3nm及以下先进制程，将有利于减少中国芯片产业对外依赖。目前，中国大陆地区先进制程芯片主要依赖进口，自给率不足20%。 一旦实现3nm及以下制程国产化，将极大提高芯片自给能力，有效降低被＂卡脖子＂的风险，从而真正实现芯片产业自主可控发展。

实现3nm及以下先进制程量产绝非易事，需要持的巨额投入和长期努力。但只要保持战略定力，通过自主创新与国际合作相结合，中国芯片产业终将在这一领域取得决定性突破，为国家科技实力和产业竞争力注入新的动力。