光刻机风云再起，这道坎华为是躲不过去了！

华为Mate60系列的发布，让大家看到期待已久的麒麟芯片又回来了，在经过多方对该机型的拆解和测试后发现，麒麟9000S的性能是接近7纳米工艺的，而且有网络消息称，该芯片来自松山湖，意味着这批芯片并非出自代工，而是华为自己所制造的。

加上最近华为又发布了关于晶圆制造方面的专利，让之前的这条消息似乎显得更加真实了，但不管如何，华为躲不过去的一道坎，还是光刻机。

目前我们的国产光刻机还在突破28纳米这道门槛，所以短期来看，国产光刻机是无法解决华为的燃眉之急的，但现在，ASML方面又传来新的消息。

据悉，ASML将在明年量产支持2纳米工艺的高NA EUV光刻机，初期的量产规模是每年10台，后续将增加到每年20台，而初期的产能中，英特尔就已经预定了6台，这意味着，英特尔将成为高NA EUV光刻机的第一个客户。

而其他的产能，大概率台积电会拿到大头，而且近期有媒体报道，台积电已经在给苹果展示其2纳米工艺，并且1.4纳米工艺也已经提上合作的日程，很显然，芯片制造工艺即将进入一个新的时代。

这无疑都对当下的华为提出了新的挑战，因为竞争对手像高通、联发科可以直接将自己的芯片升级到最新工艺，哪怕核心架构没有任何变化，性能的提升也是明显的，但华为却不能。

有人说华为可以通过更新核心架构，来提升芯片的整体性能，这句话没错，但是通过架构的更新来获得性能的大幅提升，这种情况不是没有，而是概率太低了。

而且即便架构足够的优秀，也很难忽视工艺带来的性能提升，例如电脑中的CPU，英特尔的酷睿架构堪称传奇，即便AMD经过十多年的努力推出了ZEN架构，也难以匹敌，后来与台积电合作，利用更先进的工艺，一举让酷睿难以招架。

所以当竞争对手的工艺逐步提升到2纳米甚至1.4纳米时，华为还能依靠7纳米的性能来角逐高端市场吗？

然而这还不是全部，随着芯片制造工艺进入3纳米，晶体管开始从FinFET进入到GAA时代，GAA晶体管比FinFET更加优秀，三星在与台积电的竞争中，就是依靠GAA作为竞争利器，并且取得了不错的市场效果。

这种因为先进光刻机带来的晶体管的变革，对华为同样提出了不小的挑战，这意味着华为将面临着芯片工艺的断代。

所以无论从哪个方面看，光刻机这道坎，华为是很难躲过去了，当然，我们相信一切皆有可能，以上只是我们站在芯片历史的发展角度来看，而华为或许会给我们带来惊喜，我们拭目以待。