外媒：美光的目的达到了！！

最近，SK海力士率先宣布推出321层NAND闪存样品，而三星和美光也计划推出300层以上的NAND闪存。这意味着全球存储巨头将集体迈入300多层级的时代。

然而，值得注意的是，在去年下半年，长江存储已经领先它们，首次量产了232层NAND闪存，但现在却因为美国的出口限制陷入了困境。这引发了外界的疑问：美光的策略是否成功？

存储芯片是各种芯片中需求最大的一类，我国的芯片进口数据清楚地显示，存储芯片几乎占了三分之一的份额。长期以来，存储芯片一直是国外企业的垄断领域，我们一直依赖进口。

存储芯片主要分为DRAM内存和NAND闪存两类，为了打破这一局面，国内企业长鑫存储专攻DRAM内存，长江存储则专注于NAND闪存，他们通过不懈的努力已经初步打开了这个领域的缺口。

为了扩大市场份额，这两家企业都加速了投资和扩产，如果一切顺利，它们的市场份额都有望达到7%。

然而，就在长鑫存储和长江存储扩产的关键时刻，美国发布了有史以来最严格的出口管制新规。在将逻辑芯片的制造限制标准提高到14纳米的基础上，新规还规定了存储芯片的制造标准。其中，DRAM内存芯片要求半间距不得小于18纳米，而NAND闪存芯片则限制在128层或更多层。根据新规，美国企业或使用美国技术的企业不得向中国企业出口相关设备等。

长鑫存储目前最先进的量产芯片主要达到了19纳米，因此暂时不受新规的限制。然而，长江存储的情况就不一样了，近年来，它的技术进步迅猛，已经达到了全球领先水平，甚至去年还全球首发了232层NAND闪存。可以说，长江存储已经迎头赶上了全球存储三巨头。

长江存储的快速发展显然引起了美光的关注。因为美光在技术和市场份额上都无法与三星和SK海力士相抗衡，如果长江存储继续高速发展，可能会首先影响到美光的市场份额。

因此，美光开始在幕后采取行动，甚至投入了954万美元的资金，试图游说美国政府对中国的存储企业实施制裁。

在多次游说的影响下，美国政府不仅在新规中增加了对存储芯片的限制标准，还将长江存储列入所谓的“实体清单”，导致长江存储所需的许多芯片制造设备无法进口。在这种情况下，有外媒认为美光的目的已经达到，长江存储受到了限制，但实际情况真的如此吗？

首先，值得注意的是，美光也为此付出了巨大的代价。由于其损害中国市场的行为，中国国家互联网信息办公室对其在华销售的产品进行了网络安全检查，结果发现存在严重的安全风险，因此限制了其在中国重要基础设施领域的应用。

在芯片市场竞争已经激烈的情况下，这使得美光的损失更加严重。需要指出的是，美光实际上有四分之一的全球收入来自中国市场，因此这次限制将严重影响其在中国的收入，这也是为什么美光不久前投资扩建了西安工厂，并亲自拜访了中国商务部的原因。

其次，长江存储仍然有望实现突破。有消息称，在长江存储面临困境时，中国国家大基金及时注资支持，并且长江存储开始大量采用国产设备，以逐步实现国产替代。近期，中微公司甚至表示，他们的部分进口受限部件将能够100%地被国内替代。

此外，华为最近发布的Mate60在发布会前突然上市销售，搭载了麒麟9000S芯片，并内置了5G基带。这表明华为已经基本解决了芯片问题，显示了国内芯片突破的爆发力。

在如此困难的情况下，华为都能够实现突围，因此相信长江存储也有望克服设备受限的问题。此外，国内相关设备制造商也在积极努力，甚至有传言称最复杂的光刻机也即将实现突破。这一系列的举措表明，中国芯片行业在面对困难时表现出了强大的韧性和创新能力。

因此，实际上，美光的目标并没有真正达到。他们的游说行动不仅导致损失巨大，还迫使长江存储加速实现国产替代。一旦解决了设备受限的问题，美光的损失可能会进一步扩大，甚至可能失去市场的竞争力。

而不仅仅是美光，美国政府对芯片的出口限制也不会产生良好的结果。相反，这些限制只会促使中国芯片行业变得更加强大，加速自主研发和国产替代的步伐。中国已经展现出了强大的意愿和能力，要在全球芯片市场上获得更大的话语权。

综上所述，尽管美光的行动看似成功，但实际上可能导致适得其反的后果。中国芯片产业正在逐步崭露头角，不断提升自身实力，而美国的出口限制只会刺激中国走向自主创新的道路。这一局势不仅有助于中国芯片企业，也有望为全球芯片市场带来更多多样化和竞争力。在激烈的国际竞争中，中国芯片行业正展现出强大的生命力和潜力。