上海微系统所在300mm SOI晶圆制造技术方面实现重大突破

中国科学院上海微系统所今日官微消息，近日，上海微系统所魏星研究员团队在300mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。300mm RF-SOI晶圆的自主制备将有力推动国内RF-SOI芯片设计、代工以及封装等全产业链的协同快速发展，并为国内SOI晶圆的供应安全提供坚实的保障。