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日本分析机构的最新研究结果引发了关于中国国产5G手机芯片工艺的混淆，认为其工艺可能是14纳米或7纳米。这种混淆主要源于芯片制造企业的命名规则混乱，特别是台积电，其命名规则已经不再以栅极间距为准。在过去，栅极间距是评定芯片工艺的标准，但随着技术的进步，这一规则变得不再适用，因为栅极间距无法单独提升性能。因此，新技术如FinFET已经被引入，它通过控制电流和减少漏电现象来改进芯片性能。

FinFET技术是芯片工艺的一项革新性技术，通过在绝缘衬底上创建高而薄的鳍，它可以更好地控制电流，增强对勾到的控制，降低了漏电现象。这一技术的引入推动了芯片制造工艺的进步。高性能芯片如手机处理器和PC处理器通过FinFET技术能够更进一步地减少栅极间距，改进性能，减低功耗，提高晶体管密度等参数。然而，存储芯片则不能进一步减少栅极间距，因为它们需要更大的耐用性和可靠性。因此，存储芯片通过增加更多层的设计来增加容量，已经开发出具有300多层的3D设计。

由于芯片工艺的命名规则已经变得不再清晰，芯片制造企业和设计企业需要新的方式来吸引市场。它们根据性能的提升、功耗的下降、晶体管密度等参数的改进来对工艺命名。然而，这导致了全球三大芯片制造厂（Intel、台积电、三星等）之间的混乱，其中Intel相对较保守，导致在14纳米工艺之后一直延迟了10纳米、7纳米工艺的量产。相比之下，台积电和三星则更加激进，但它们的10纳米及以下工艺一直备受争议，未能达到预期水平。尽管有质疑，台积电和三星的7纳米、5纳米、3纳米工艺仍然不断升级。

这一混淆也影响了国产麒零8000S的芯片工艺的认定，有人认为它是14纳米，有人认为它是7纳米。根据栅极间距，这两种看法并没有太大差别。如果根据台积电的命名规则，麒零8000S的晶体管密度可以达到7纳米，而其性能接近5纳米的骁龙888。然而，值得指出的是，骁龙888采用了三星的5纳米工艺，但与台积电的5纳米相比，在晶体管密度方面差距较大。因此，麒零8000S与台积电的7纳米工艺相当，接近三星5纳米工艺的骁龙888并不令人意外。

这一争议引发了对于芯片制造工艺的重新思考。它表明，在14纳米工艺之后，可以采用不同的方法来提升性能，而不一定需要通过EUV光刻机来缩短栅极间距。对于中国芯片制造企业，这可能是一条可行的道路，特别是考虑到获得EUV光刻机一直是一个挑战。

综上所述，当前的芯片工艺命名规则已经不再清晰，各家制造企业采用不同的方式来定义工艺，这导致了对于中国国产5G手机芯片工艺的混淆。但与此同时，这也激发了对于芯片工艺的新思考，表明提升性能有多种途径，这对于全球芯片行业来说都是一个积极的发展。需要更多的研究和合作来解决这些混淆，同时也需要更清晰的工艺命名规则，以促进行业的发展。