原创麒零8000S到底是7纳米还是14纳米？

近日，国际科技圈的一项发现引发广泛争议，关于中国国产5G手机的芯片工艺。据日本分析机构披露，对这一芯片进行扫描后，他们得出了一个惊人的结论，芯片的工艺规模仅为14纳米，而在业内一些专家认为它可以归类为7纳米工艺。这一混淆不清的情况的背后，是因为芯片制造企业在工艺的命名规则上产生了极大的混乱。

在16纳米工艺之前，芯片制造企业通常使用栅极间距来定义工艺规模。然而，随着栅极间距的不断缩小接近极限，芯片制造企业无法再依赖简单地通过缩短栅极间距来提升芯片性能。这推动了一项重大技术革新，FinFET技术的引入。FinFET技术代表了芯片工艺上的一次革命，与传统MOSFET的平面结构不同，FinFET技术通过在绝缘衬底上建立一系列高而薄的鳍，这些鳍可以更好地控制电流，增强了栅极对电流的控制，从而显著降低了漏电的问题，这一革新推动了芯片工艺的不断提升。

对于高性能芯片，如手机处理器和PC处理器，它们可以通过FinFET技术来进一步缩小栅极间距，从而提升性能，降低功耗，增加晶体管密度。但对于存储芯片等需要考虑耐用性和可靠性的领域，栅极间距的缩小并不适用，因此这些芯片工艺的进一步提升是通过采用多层次的设计来增加存储容量，目前已经有存储芯片的3D设计达到了300层以上。

由于早期的芯片工艺命名规则无法继续适用，但芯片制造企业和设计企业需要仍需要一种方式来进行工艺升级的市场营销宣传。因此，它们开始使用芯片性能、功耗、晶体管密度等参数的提升来为工艺命名。现在，全球最先进的三大芯片制造厂商，包括Intel、台积电和三星，都出现了混乱的工艺命名，其中Intel相对较为保守，这也导致了他们在14纳米工艺之后一直推迟了10纳米和7纳米工艺的量产。与之相比，台积电和三星相对更激进一些。然而，这也导致了他们的10纳米及以下工艺屡遭质疑，未能达到预期水平。尽管Intel曾经明确指出，台积电和三星的7纳米工艺与Intel的10纳米工艺水平相当，甚至高通在内部也曾指出这一问题，但出于营销需要，大家都不再公开讨论这个问题，台积电和三星继续将他们的7纳米、5纳米和3纳米工艺不断升级。

关于国产麒零8000S芯片的工艺，有人认为它是14纳米，也有人认为它可以归类为7纳米。按照栅极间距的标准，它的工艺与台积电的7纳米和14纳米工艺没有太大差别，因此，日本分析机构认为将其划为14纳米并不为过。然而，根据台积电的工艺命名规则，麒零8000S的晶体管密度已经达到了7纳米，这也使得将其归为7纳米工艺合情合理。据报道，麒零8000S的性能与5纳米工艺的骁龙888相当，因此也有人认为它接近5纳米工艺。值得一提的是，骁龙888采用了三星的5纳米工艺，尽管此前有报道称，三星的5纳米工艺在晶体管密度方面与台积电的5纳米相比有一定差距，但它仍然要强于台积电的7纳米EUV工艺。因此，将麒零8000S视为与台积电的7纳米工艺等效，接近三星的5纳米工艺并不足为奇。

这一争议的出现引发了对中国芯片制造工艺的新思考。它表明，工艺的升级不一定需要采用更先进的EUV光刻机来缩小栅极间距，而可以开辟新的途径。这对中国芯片行业来说，尤其是那些难以获得EUV光刻机的企业，可能是一条可行的道路。