中国已经在“芯片战”中失败了?

最近,麻省理工学院的研究团队发表了一项新型芯片技术,可以用低温技术让硅基芯片上“长”出来二维过渡金属材料层。麻省理工学院研发的超薄晶体管的厚度仅有三个原子,大约0.3纳米,这使得在同样面积的基板上可以集成更多的晶体管。使用这种材料制造的芯片,功耗和体积都可以降低到原来的千分之一,性能也会有显著的提升。

这次的工程是由华裔科学家朱佳迪完成的,他本科就读于北京大学,现在在麻省理工大学从事材料方面的学习和研究。他这次突破将美国芯片技术推上了新的高度,未来的成就不可限量。


我们这边还在为光刻机发愁,那边又有了新的技术突破,不怪一些外媒嘲讽说:中国已经在“芯片战”中失败了!


一个24岁的小伙子,正是送外卖、干保安、考编制的大好年龄,他不珍惜不努力不务正业,跑到美国研究起了原子级芯片去了,年纪轻轻不学好,净给我们出难题。我们还没追赶上老美的传统芯片技术呢,你又帮老美突破了新的技术,你让我们情何以堪啊?

在老美这个技术研发平台上,是金子总会发光,想不服都不行啊。如果这项新技术能够量产的话,那么手机、电脑以及所有的电子设备的性能又将是一个跨越时代的质的飞跃,这一下老美又要领先我们多少年啊。

关键是让老美技术领先的很多科学家都是华人,据说在美国搞芯片技术研究的科学家大多数都是华人,这点让我们很郁闷。


国内顶尖的高校为老美的科学发展做出了巨大的贡献,我们的芯片技术还没有发展起来,我们的家人就去把别人家的芯片事业发展的如火如荼,这种无私奉献的大无畏精神,我们是应该继续保持呢,还是应该考虑考虑、反省反省我们到底该怎么办呢?

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页面更新:2024-02-12

标签:麻省理工学院   麻省   芯片   光刻   晶体管   美国   原子   中国   科学家   性能   技术

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