美芯片取得重大突破，背后是一位24岁华人主导，外媒：中国输了

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美国在半导体领域的技术实力也非常强大，尤其是在微处理器、存储器、传感器等领域具有很高的技术水平。美国企业一直在推动半导体技术的创新和发展。

在全球各国加速芯片技术研究的情况下，美国芯片也取得了重大突破，打造出一种基于二硫化钼（MoS2）的原子级薄晶体管，这将对原子级芯片的制造有关键意义。而这项技术突破的背后是一位24岁华人主导，外媒：中国输了。

摩尔定律面临极限，一旦芯片的物理规则无法继续突破，人类的科技创新水平或许将面临下滑。想要打破摩尔定律，就需要从新工艺、新架构、新材料等新型技术路径出发，探索芯片发展的更多可能性。

中国也有这方面的研究，比如采用石墨烯材料制成碳基芯片，或者用第二代半导体材料制造出光子芯片，还可以从芯粒技术出发，瞄准先进封装产业提高芯片性能。当然，这些技术的探索都需要时间落地，一步步应用于实际产业。

在此之前，美国芯片也取得了重大突破，背后还是一位24岁华人主导。这项突破是由美国麻省理工学院(MIT)研究团队完成的，打造出一种基于二硫化钼（MoS2）的原子级薄晶体管。

该研究成果被发表于《自然纳米技术》杂志期刊，从概括来看，主要阐述了二维材料在电子学领域的应用前景，研究人员开发了一种低热预算合成方法，能够在低于前体分解温度的温度下合成单层二硫化钼薄膜，并直接在硅互补金属氧化物半导体电路上生长，而不需要任何转移过程。

随着芯片制程的缩短，晶体管的密度也会加大，从而产生隧穿效应。这会导致芯片功耗加大，影响芯片的性能。

采用麻省理工研究人员的技术后，可以让芯片功耗大大降低。如果这项技术被普及应用，那么原子芯片时代或将到来，芯片的尺寸会更小，更好，在计算机，医疗以及能源等领域都有广泛的应用前景，核心竞争力非常突出。

而这项技术的背后是一位24岁华人主导，来自麻省理工电气工程和计算机科学研究生朱佳迪主导了该技术的研发，解决不同材料中出现高温瓶颈的问题。美国半导体产业不乏华人科学家的身影，英伟达创始人黄仁勋也是一名美籍华人。

在英特尔的各大研究部门中，总经理，项目负责人也几乎都是华人。

这说明了什么？说明华人科学家一样具备主导领先技术研发的能力和条件，但为什么许多开创性的技术都来自美国？

原因不外乎美国吸引了包括华人在内的世界各国顶级人才，美国硅谷群英荟萃，无数家美国科技公司招募吸纳了国外人才，也是华人科学家的聚集地。他们曾在国内高校学习过，此后赴美国留学，定居海外，成为美国科研团队的一员。

有外媒表示：中国输了。在外媒看来，美国掌握了大量的人才，便赢得了胜利。或许还不能过早下结论，但人才流失的问题必须引起重视。

任正非就呼吁过，要让中国的鸡回到中国下蛋。中国该如何把握人才呢？

中国应该加强对人才的吸引力，提供更好的待遇、更好的工作环境和更好的职业发展机会，让优秀的人才能够留在国内发展。同时，中国也应该加强国内的科技创新，提高自主创新能力，为人才提供更多的创新空间和机会。

此外，中国还可以加强与国际科技界的合作和交流，吸引更多的海外人才回国工作和创业。通过以上措施，中国可以更好地留住本土优秀人才，同时吸引海外优秀人才回国发展，实现人才的有序流动，推动中国科技创新和发展。

说起来并不难，却需要国内企业，社会的共同努力，满足人才在物质，精神以及多方面的需求，有了人才的支持，许多科研难题便有望迎刃而解。

或许国内公司可以效仿华为的做法，对待顶级人才不吝啬资源，华为提出了“天才少年计划”，用百万级别的年薪在全球招募人才。不论学历、不论学校，只要在数学、材料、芯片等领域有突出成就，都有机会入选华为天才少年。如此这般，何愁人才不齐。

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