ASML害怕中国3年造出顶级光刻机，北大院长林毅夫给出肯定答案​

光刻机是一种关键的芯片加工设备，科技集成度相当高，应用度也相当广泛。目前，世界上最顶级的光刻机均由荷兰ASML公司独家制造，采用 EUV光源，可实现7 nm以下的制程。在 EUV光刻机领域， ASML公司几乎垄断了这一领域的所有产品，包括台积电、三星、英特尔等等，都对其趋之若鹜。

但近年来，碍于美方的横加阻拦，ASML备受压力，无法向中方出口 EUV光刻机，以至于该顶级设备在中方市场的应用受到了一定的限制。美方的目的很简单，就是为遏制中方在芯片上的发展。基于这个原因， 中方至今没有顶级光刻机。

在这样的情况下，这种关乎国家安全与发展的顶级设备——EUV光刻机，其最终能不能自主研发和生产就就显得有尤为重要。针对这个问题，北大院长林毅夫就曾公开给出了肯定的回答。据他所知，中方已在极紫外光刻机方面取得了重大突破，并有望在三年内量产。作为中科院院士、国家科学任委员、国家科技专家组成员，他的回答具有较强的可信性和权威性。

林毅夫院长表示， EUV光刻机涉及物理、化学、材料学等多门学科的融合与发展。其中最大的难点，就是极紫外光源与投射透镜。极紫外光源要求能产生特定波段的极紫外光，并能维持稳定、高效率；而至于投射透镜，它不仅必须是反射型的，而且要有非常高的精确度和清晰度。

根据林毅夫教授的说法，中方已经在这两个领域有了很大的突破。在极紫外光源方面，中方已成功研制出一种基于锡等离子体放电的极紫外光源，并获得了稳定的输出。在投影透镜领域，中方也已掌握了反射式多层膜涂层技术，并成功研制出了自家首款极紫外反光镜。上述自研成果，都充分显示出中方在极紫外光刻机方面的研究实力，并具有很大的发展潜力。

林毅夫的这番话在国内外引起了广泛的关注和讨论。有人认为，此次发布标志着中方在极紫外光刻机领域取得了一次重大突破，显示出中方发展芯片技术的决心和实力；另一些人则认为，这只是一种理论设想，离实际量产还差得远，而且中方在EUV光刻机方面仍落后于 ASML公司。

所以，中方真的有能力在3年内造出高端光刻机吗？这一问题目前尚无定论，EUV光刻技术涉及物理、化学、材料学、机械学、电子学、软科学等多个学科的交叉与融合。其中最大的难点，就是极紫外光源与投射透镜。投射镜则是采用了反光设计，对精确度和清晰度也非常高。而极紫外光源要求其输出波段为13.5 nm，且稳定、高效。这两个环节，对材料、工艺的要求都是极高的。

据悉，目前中方已经在这两个方面取得了一些进步。在极紫外光源方面，中方已成功研发出一种基于锡等离子体放电的极紫外光源，并实现了稳定的极紫外光输出。在投影透镜领域，中方已掌握了反射式多层膜涂层技术，并成功研制出了国内首款极紫外反光镜。上述研究结果充分显示出，中方在极紫外光刻机方面的研究实力，并具有很大的发展潜力。

但是，要最终攻克这些领域，还面临着诸多困难和挑战。首先是关于技术上的问题。EUV光刻机不仅需要高精度、高效率和高稳定性，而且需要低成本、低功耗和低污染等优点。各指标间常有矛盾与冲突，需加以权衡与优化。例如，在提高极紫外光源功率与效率的同时，还要考虑到器件寿命与环境安全性。为了提高投影仪的清晰度和精确度，必须考虑投影仪的制造成本和复杂性。

其次，是关于供应链的问题。一台 EUV光刻机的相关零部件，由世界范围内的800余家供应商供应，任何一家供应商缺少零部件，或者出现质量问题，都会导致光刻机无法正常生产。目前， ASML在 EUV光刻机领域处于绝对垄断地位，而德国蔡司等公司在EUV光刻机领域也有较强的技术实力和品牌影响力。中方要想拥有自主的 EUV光刻机，就必须建立起一套完整的、可信赖的供应链，而这一过程需要耗费大量的时间、财力和人力。

再次，就是关于市场的竞争。都知道，EUV光刻机市场需求量很大，但生产厂家却很少。到目前为止，世界上唯一一家可以量产 EUV光刻机的公司，也就是 ASML公司，占据了超过90%的市场。ASML是一家技术实力雄厚、与世界各大芯片厂商有着长期合作伙伴关系的公司。即便中方能在三年之内生产出顶尖的光刻机，仍将面临着来自ASML公司的激烈竞争以及巨大压力。

综上所述，虽然中方的 EUV光刻机的研究已初见成效，但是要在未来三年内做出世界顶级的光刻机，仍然面临着技术、供应链、市场竞争等诸多困难与挑战。而要想克服这些，来自政府、企业、科研院所以及社会各界的大力支持是不可或缺的。只有这样，我们才能加速 EUV光刻机领域的研发与工业化进程，并最终摆脱美方的魔掌。

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