英特尔1.8纳米制程流片成功？已经突破物理极限了吗？

这两天，英特尔王锐爆料，英特尔2.0、1.8纳米芯片制程已经流片，英特尔“4年5节点”战略顺利。

根据此前公布的规划，英特尔提出了包括Intel 7、4、3、20A、18A在内的五大先进制程路线图，后者逐一对应目前主流市场中7纳米-1.8纳米工艺。王锐坚信英特尔“2025重回领先”。

英特尔王锐谈代工：1.8纳米制程已流片 坚信2025重回领先

众所周知，2021年，英特尔对其芯片工艺制程进行了重新命名，把原先的10 nm、7 nm、7 nm+升级成Inter 7、Intel 4、Intel 3，终于和半导体界的节点命名基本同步了。

2纳米节点之后，半导体工艺将迎来过去20年最大的变革，晶体管将由FinFET结构向GAAFET过渡。过去二十年半导体界的两次弯道超车--浸没式光刻和FinFET催生了今天的光刻机巨头ASML和半导体代工巨头台积电。而这一次的芯片制程变革，英特尔是否能够再次如王锐预测的一样获得领先，的确值得关注。

很多网友可能有疑问了，为什么都2纳米制程了，还没有达到“量子极限”？

这个问题实际上是需要澄清的，因为很多网友被这个问题困惑，并且难以阻挡“半导体摩尔定律到头了，西方停止发展了”的浮夸沸腾文的袭扰。所以我在这里继续讲解一下：

我们都知道，所谓的半导体芯片节点的命名，在90纳米以下芯片，其命名尺寸和物理尺寸已经没有绝对关系。比如7纳米芯片，实际上最小金属间距是36纳米；5纳米芯片最小金属间距是28纳米；3纳米芯片最小金属间距是22纳米；2纳米芯片最小金属间距是18纳米。在这个尺寸上，距离量子隧穿的距离还有很大空间。

所以并非到了2纳米以下就“摩尔定律到头”了。

那我们所说的最小金属间距能无限缩小吗？那显然不是，因为到了10纳米以下尺寸，受限制的不仅仅是量子隧穿等基本物理定律，还包括我们的半导体光刻工具、以及材料尺度效应等综合性影响。但这不仅仅不意味着摩尔定律终结，反而给摩尔定律的延续，提供了更多的创新维度！

比如，从2018年的7纳米芯片，到大约2024年的2纳米芯片，这6年间半导体界的摩尔定律的微缩化可以在最小金属间距的缩小体现出来，比如从7纳米芯片的40纳米最小金属间距，降低到2纳米芯片的21纳米最小金属间距。但是到了2030年以后，半导体摩尔定律的微缩化主要体现在芯片3D结构上的优化，而并非2D平面上的最小金属间距的缩小上。

因此，目前的ASML第二代高数值孔径EUV光刻机实际上是可以支撑到摩尔定律延伸到2036年的。而在通向更久远的年代，我相信仍然会有更加颠覆性的技术方案延续摩尔定律。

许多网文作者往往把半导体制程的节点命名当作了实际物理尺寸，鼓吹摩尔定律到头了，我们马上就弯道超车了--这是基本的概念性错误。