近日中科鑫通称，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备，预计将于2023年在京建成，可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。

中科院获得3nm芯片技术突破

在大多数人看来，中国最大的弱点就是半导体产业，其实这句话有些“模糊”，更确切地说，半导体产业是我们最大的弱点，不过我们正在努力解决这一问题。

然而事实上，这还只是一种暂时的策略，根据最新的报道，中国科学院在3nm制程工艺上取得了重大进展，预计2023年就能实现批量生产。

很多人都在想，为什么10nm的制程都没有成功，而现在，我们已经可以批量生产3nm的制程了？能否替代台积电的3纳米制程？

关于这两个问题，下面就为各位做一个说明，第一，我国当前针对于硅基芯片的批量生产技术还停留在10nm，而14nm以上制程的芯片还没有实现批量生产。而22nm制程的光刻机，则被他们研制出来，并开始批量生产。

中国只掌握了10纳米以上Si晶圆制造技术，以及22纳米光刻机的自主研发技术，凭什么能批量生产3纳米晶圆制造技术？事实上，在很多人看来，3nm工艺的成功，并不是说3nm工艺的成功，而是说3nm工艺的成功。

光子芯片能否帮助中国逆袭

光电子器件是光子芯片的核心组成部分，和硅基电子器件存在着很大的差别，在传输速度上较于电子芯片要快1000倍，且在功耗的控制上也更佳，光子芯片采用的磷化铟、砷化镓等二代半导体材料，自然是要比电子芯片的轨迹材料要强。

而最关键的地方在于制备程序，虽然二者有着一定的相似度，但光子芯片的侧重点在于外延伸与制备环节上，而并非是在光刻环节，意味着不需要依赖高端的光刻机，这也是国内加大布局的原因。

在光子芯片产业体系成型之后，国内企业可以直接走IDM模式，不再需要依赖国际的供应链，有别于集成电路的标准化与分工明细化，中间可以省略很多复杂的环节。

而光子芯片的结构对工艺需求较低，一般是百纳米级别就够了，国产的90nm光刻机足够使用了，中科鑫通也表示：“光子芯片就算采用国产的设备和工艺，也能够实现成熟的量产！”

根据专业机构的预测，未来五年光子芯片规模将突破千亿美元，这也将给我们带来更多的机会，就目前而言摆脱对于EUV光刻机的依赖，我们才能在芯片领域赢得优势，才能实现最终的换道超车。

弯道超车，让光子芯片被寄予厚望

这几天，北京日报发布了一则新闻：国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备当中，预计将于2023年在北京建成。

从概念上来说，光子芯片主要有两种：光量子芯片和硅光芯片。不过，由于理论、技术等方面的原因，前者目前还停留在纸面上，国内正在筹备的这条光子芯片生产线，从介绍来看也属于硅光芯片的生产线。

与纯光子芯片不同，硅光芯片采用的是光电混合结构设计，在计算时，所有的指令、编译、软件都会先加载到电子芯片上进行处理，之后通过光信号进行计算，最后输出的依然还是电信号。 图片

而在另一个方面，早在2016年，英特尔就已经成功推出了硅光子光学收发器。在之后的几年里，英特尔的相关产品不断推陈出新，并已在研发更加先进的光电共封技术。

除此之外，Ayar Labs、思科等厂商，也已在硅光芯片领域有所成绩。