英特尔将在未来冲击1nm工艺：基于新一代光刻机

英特尔过去几年在半导体制造的工艺所取得的成就远不如台积电，当然英特尔也承认了自己的不足。不过作为半导体巨头的英特尔自然会通过强大的研发团队在半导体领域不断地追赶，就在之前的技术大会上，英特尔就已经公布了未来数年的工艺制程路线图，包括Intel 4、Intel 3、Intel 2乃至于Intel 18A，而现在又有消息称英特尔已经开始为之后两代制程工艺做准备以及命名。

除了英特尔之外，半导体组织也给出了他们对于未来制程工艺的定义，比如说2024年的N2工艺也就是2nm制程工艺，2026年将会达到A14工艺或者说是说1.4nm，最多的预测甚至达到了2036年，届时全球半导体工艺将会达到A2，也就是0.2nm，基本上已经趋近于物理晶体管的极限了。

毫无疑问根据英特尔曝光的消息，英特尔这里希望冲击的是A14以及A10两个工艺，相当于1.4nm以及1nm，只是这两个工艺距离正式量产还有相当长的距离，此外想要实现如此先进的工艺制程，采用EUV光刻机必不可少，而光刻机领域毫无疑问要依靠ASML。伴随着制程工艺的进步，光刻机的功耗也越来越高，据悉为了满足如此先进的制程工艺，ASML还要对光刻机进行更新换代，比如说在2026年推出基于High NA技术的EUV光刻机，能够将分辨率进一步提升，只是价格也将翻番，从目前的1.5亿美元飞跃至4亿美元。

估计伴随着半导体工艺的进步，未来晶圆代工的价格也将水涨船高，不知道芯片性能与日俱增，价格是否也将不断上涨。