华为已提交EUV扫描仪专利申请 - 向国内开放小于7纳米的技术

据UDN称，华为已提交了一项涵盖极紫外（EUV）光刻扫描仪的专利申请。如果公司制造出这样的扫描仪，并实现不错的生产力、正常运行时间和产量，中国芯片制造商就可以生产采用7纳米以下技术的芯片。唯一的问题是什么时候。

11月中旬，华为向国家知识产权局申请了EUV扫描仪及其关键部件的专利。专利申请号为202110524685X。

根据各种媒体发布的描述，该专利申请似乎涵盖了EUV扫描仪的所有关键组件，包括13.5 nm EUV光发生器（光源），一组反射镜，光刻系统和“控制管理技术”（我们推测这就是他们所说的计量学）。

申请专利并不等于能够制造EUV扫描仪，EUV扫描仪是一台高度复杂的机器，具有许多最先进的组件，必须长时间完美地协同工作。此外，即使手头有EUV工具，芯片制造商仍然必须为掩模、抗蚀剂和大批量生产所需的许多其他东西找到合适的薄膜。

数值孔径为0.33的EUV扫描仪是当今半导体生产工具的巅峰之作。许多公司试图开发这样的工具，但只有ASML在经过十多年的开发并在英特尔，三星和台积电的财政支持下取得了成功。如今，三星、SK海力士和台积电都在积极使用ASML的EUV工具，但英特尔尚未开始使用这些工具进行大批量生产芯片。

目前，只有英特尔，美光，三星，SK海力士和台积电使用或计划使用EUV扫描仪。此外，只有这五家公司已经开发（或计划开发）足够复杂的工艺技术，以利用EUV扫描仪。与此同时，由于瓦森纳协议的规定，中芯国际无法获得已经采购的EUV工具来开发自己的基于EUV的制造工艺。因此，很明显，中国可能存在对EUV扫描仪的需求，显然，华为希望解决这个问题。