美光开始出货2550系列NVMe固态硬盘：采用232层TLC NAND闪存

据之前报道，美光（Micron）几个月前已推出232层TLC NAND闪存，并计划2022年底开始正式生产。近日美光宣布开始出货采用232层TLC NAND闪存的2550系列PCIe 4.0 NVMe固态硬盘，美光称该系列固态硬盘具有密度与功耗优势，相比自家上代产品，写入带宽提高了100%。

该系列固态硬盘支持NVMe1.4协议，拥有2230、2242、2280三种规格，每种规格都提供256GB、512GB及1TB三种容量。其中256G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为4500MB/s，最大顺序写入速度为2000MB/s，最大随机读取380K IOPS，最大随机写入为400K IOPS，TBW为150TB；512G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s，最大顺序写入速度为4000MB/s，最大随机读取500K IOPS，最大随机写入为600K IOPS，TBW为300TB；1T容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s，最大顺序写入速度为4000MB/s，最大随机读取550K IOPS，最大随机写入为600K IOPS，TBW为600TB。

美光通过优化进入与退出节能状态的过程，为控制芯片采用更先进的制程工艺，采用HMB（Host Memory Buffer）技术清除DRAM等手段进一步降低固态硬盘功耗，可使笔记本拥有更长的续航 。美光称该系列固态硬盘睡眠功耗低于2.5mW，空闲功耗低于150mW，活动功耗低于5.5W。

目前已有包括长江存储，三星，SK海力士在内的多家厂商推出层数高于200的NAND闪存，估计很快会更多相应产品与消费者见面。