针对中国芯片，美再举制裁大刀，这次措施还挺精准

10月7日，美国制裁大刀再次出手，在美国商务部下属的工业和安全局历史官网公布了一项针对中国芯片行业史无前例的制裁措施。力度大不说，而且越来越精准刀刀致命。

第一项措施将高性能芯片和高性能计算机纳入了商业控制清单，包括但不限于GPU、CPU甚至内存芯片。

第二项措施增加新的许可要求，目的是防止中国超级计算机半导体开发芯片生产终端获得来自美国的设备、技术和原材料知识。

第三项措施，将出口管理条例的范围扩大到国外生产的超级计算机终端使用项目上，同时不再区分民用、军用。

如果以上措施还算是中规中矩，都在意料之内的话，下面的措施则是精准具体化了，第四项措施增加新的许可要求，尤其是针对16或14纳米和更先进的逻辑芯片，18纳米和更先进工艺的DRAM内存芯片，128层及以上的闪存芯片，之所以说这一项措施很精准，18纳米的DRAM针对的是合肥长鑫，因为合肥长兴刚刚量产了19纳米的DRAM，17纳米工艺正在准备量产中。在DRAM中理论工艺极限是10纳米，目前最先进的当属三星的14纳米，长鑫的17纳米已很不错不算落后了，是我国唯一攻克20纳米以内DRAM内存的企业，也正因此成为了美帝的眼中钉。

128层NAND闪存针对的是长江存储，（这里顺便提下DRAM相当于电脑的内存条，NAND相当于电脑硬盘）目前长江存储已经实现了196层的闪存技术，且已领先了三星、镁光、海力士等传统寡头。

最后一项项措施，在没有获得美国政府许可的情况下，美国公民、美国国籍的人禁止在中国从事芯片开发或制造工作，包括美国设备的售后服务人员。彻底堵死了中美科技人员的来往和交流。

所以，彻底放弃幻想，尤其是觉得自己市场大美企不论如何舍不得丢弃的想法，现在事实是美企不想放弃美政府也得让他放弃。

那么，我们的科技突破到底行不行，现在纯国产替代可以做到什么程度呢？9月14日，上海经信委正式对外宣布：14nm纯国产芯片已经实现了大规模量产。90nm光刻机、5nm刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等领域均取得重大突破。虽然没有具体明说到底是哪些公司实现了以上技术突破，但是根据公开信息应该是以下几家公司：
1.90nm光刻机：上海微电子
2.5nm刻蚀机： 中微公司
3.12英寸大硅片：沪硅产业-U
4.离子注入机：万业企业
5.光刻胶：彤程新材

现在慌得是美帝，除了制裁已经找不到遏制中国科技突破的法宝了，但制裁措施就是七伤拳，制裁伤人的同时也伤己，美帝越慌越证明我们的方向是对的，努力是值得的，同胞们，继续加油！