未来将迎来芯片市场的黄金十年，国产芯片也在加速发展中。

其中储蓄芯片领域，长江存储已经发展到世界领先水平。从默默无闻到打破国外垄断成为中国存储巨头仅用5年时间。在不断努力下，国产存储芯片不断获得重大突破，有望在2023年赶英超美。

芯片市场迎来黄金十年

芯片产值有多高？根据相关机构预测，在今年的存储市场中，芯片总市场额突破了1552亿。照此发展，不出三年总时长将会达到1800亿美元，也就是说1.2万亿。

这是什么概念呢？去年我们的芯片进口额，也才一万亿。

存储芯片市场规模的的不断扩大，主要是全球存储芯片需求十分强劲，智能生活地快速普及，各种智能产品对存储芯片需求量高。其次，大量需求刺激存储芯片价格的上涨。

历时5年，中企成功逆袭

在芯片存储领域，三星、海力士、美光的地位不可撼动。

对于DRAM和NAND两大产品一直处于垄断地位。但作为世界范围内最大的电子商品制造和消费市场，NAND对中国来说极其重要。

我国对存储芯片的需求量极大，但是在当时，我们的进口额居高不下，我们的进口额达到了全球的23%。数据之高，令人心惊。

存储芯片过度依赖外商，这就意味着芯片中大量信息具有泄露的可能。存储芯片已经成为卡脖子的存在，关乎信息安全。

在这样的情况下，存储国产化迫在眉睫。

2016年才刚刚成立的长江存储抗下重任，持续发力。

2017年，制造并量产出首款国产3D NAND闪存。后面四年来，相继制造出32层、64层、128层闪存，并且产品实现量产，供应全国，打破外国对NAND的垄断。

仅用5年时间，长江从行业追逐者到中国存储芯片的领跑者，现在已经到达到世界领先水平！

有望2023年赶超英美

值得注意的是，预计到2023年，长江存储生产效率会大大提升。到那时出货量将达到30万片/月。虽然距离三星47万片/月的产量略微有些差距，但远超英特尔的7.8万片/月。

所以说赶超英美，可不是一句空话。

总结

虽然在先进的芯片制程上，我们总是慢人一步，可是在中低端市场上，我们已经有了足够的话语权，

相信过不了多久，在光刻机和相关技术的加持下，我们一定会超越三星和台积电，实现真正的逆袭。