德媒：中国芯片极限追赶，率先发展第三代半导体，有望赶超美国

科技热潮中最重要的莫过于芯片了，众多高端设备离开了芯片就等于失去了生命，但由于疫情冲击和芯片封锁政策而导致了全球芯片短缺仍在持续，为了能尽量减小因芯片短缺带来的影响，各国都在制定芯片战略，加快本国的芯片生产，实现芯片自主。

近日，德国媒体就有一篇题为“中国芯片产业极限追赶”的报道，报道除了陈述了半导体最为高科技产业的重要性之外，还称中美之间正在开展“芯片战”，无独有偶，美国媒体也有一篇内容为中国正在推动“芯片计划”，目的是为了赶超美国实现芯片自主的报道。

中国“芯片计划”，发展第三代半导体

根据相关报道了解，中国此次计划中将划分1万亿美元的资金来扶持芯片的发展，除了要发展第三代半导体之外，这个项目还将对芯片设计软件和EUV光刻机进行研发，中国对于芯片的需求市场是很大的，但我国芯片研发较为落后，半导体行业的发展一直受制于，这也是我国为什么要率先发展第三代半导体的原因，在此前2015年的“中国制造战略”中，就提到希望在2025年中国能实现国内70%的半导体自主生产，接下来就让我们来了解一下第三代半导体与前面两代有何不同。

什么是第三代半导体？

第三代半导体与前两大半导体的不同之处就在于半导体材料的变化，第一代半导体所使用的材料是锗以及硅，主要使用在资讯产业以及微电子产业；第二代半导体所使用的材料是砷化镓以及磷化铟，在通讯产业和照明产业被广泛使用；而第三代半导体使用的是以碳化硅以及氮化镓为代表的材料，第三代半导体将使用在高压功率原件以及高频通讯元件上，同时也将会是5G领域使用的主要材料。

第三代半导体行业的主要使用领域

第三代半导体是材料的变更并非是升级换代，第三代半导体使用的主要材料为碳化硅、氮化镓，这将更适合用于一些高温、高频以及抗辐射的设备中。以碳化硅材料为主的芯片主要适用于5G通信中，而以氮化镓为主的芯片将更多的用于军事领域，比如雷达、电子对抗和导弹中，在民用和商用领域也通常使用的是氮化镓芯片，比如卫星通信、基站以及各种手机快充行业，在电子电力器件上新能源汽车和快充是增长最快的器件，而在5G基站和通信上使用更多的是射频器件，在这些领域都将看到第三代半导体的身影。

为何发扎第三代半导体

在第三代半导体所运用的材料中，碳化硅主要被欧美和日本所主导，西方国家虽然比我们更早的进行研究，但在技术上各国都十分接近，也就是几乎位于同一起跑线，目前第三代半导体还属于一个空白领域，并没有哪个国家占据主导地位，因此，加大第三代半导体产业的研究力度，极有可能让我国的芯片产业实现弯道超车。

第三代半导体是一个“新领域”，在实际应用中也占据着十分重要的地位，在军事、新能源和高频通信等领域都有重要作用和巨大的应用潜力，尤其是在新能源汽车和5G领域，我国是该领域中市场应用最大的国家，有着广泛的市场前景。

最后，第三代半导体与一二两代是不相同的，第三代半导体主要变更的是制造材料，因此在发展第三代半导体时不存在技术被“卡脖子”问题，并且其对于制程和工艺的要求并不高，加快第三代半导体的研发能够实现全国自主化的产业链。

各国在芯片的研发领域从未放慢脚步，“芯片之争”已经被掀起，要想在芯片领域脱引而出，就需要有长远的眼光，提前做好准备发展第三代半导体，美国和欧盟在此前都已经公布过“芯片战略”了，此次我国的芯片计划虽然还未得到官方的证实，但已经有了多国媒体的报道，相信我国在芯片市场上定不会甘拜下风，并且德国认为中国市场有着广阔的前景，因此对于第三代半导体的发展和投资是刻不容缓的。