中芯国际CEO硬气回应！未来不“虚”台积电

在中芯国际成功突破14纳米以后，又传出来要扩建28纳米芯片厂的消息，在全球缺芯的大环境下，扩建28纳米芯片厂提高产能，可以有效减轻国内缺芯的现状。另外，在中芯宣布可以量产14纳米芯片的消息后，知情人士表示其已经着手7纳米芯片的研发工作了。如果研发成功就意味着，我国正式迈入了高端芯片的领域。

但是我们依然要看清差距，认清自身的不足，中芯在咱们芯片领域是老大哥这点是没人反对吧，但不可否认的是在芯片领域咱们与老美相比还是要落后一些。目前国内可以完全实现量产的只有28纳米芯片，14纳米芯片只是在风险量产阶段，距离量产还需要一段时间验证。而台积电三星这种芯片巨头已经可以完全量产5纳米芯片，还将赴美建3纳米芯片厂，另外还将在本地建设2纳米芯片厂。

可见我们在芯片上落后还有很大，据国内一位半导体领域专家称，国内芯片领域落后国际先进水平5年左右，虽然我们的芯片设计水平一直保持在线，但是封装测试，制造都有些落后。不仅人才缺失严重，在生产设备上也存在严重欠缺。目前在全球只有台积电和三星才能量产7纳米，5纳米芯片，因为它们有全球最先进的ASML光刻机，仅仅是光刻机上的差距中芯就在多年内都看不到希望。

光刻机是西方多个国家联合研发的，所有的高端材料和零件来自全球几十个国家和企业，内部构造精密由数十万个精密零件构成。这也是为什么ASML总裁敢说出，就算给你们图纸也造不出，全世界没有哪个国家能够独自制造出来光刻机的原因和底气。中芯国际在2018年也向ASML购买过，用以生产5纳米芯片的高端光刻机，原本预计2019年完成交易。但是因为老美在中间三番五次的阻挠，导致ASML一直未能如期交货，如果没有高端光刻机的支持，哪怕有再先进的设计能力也没有任何意义。

抛开光刻机不说，在生产芯片的技术方案上，中芯也落后很多。就拿中芯最先进的14纳米芯片工艺来说，台积电目前使用的工艺方案是12FFC，这项技术相比较中芯的FinFET工艺，提升了约10%的性能，同时减少了13%的功耗。而中芯FinFET工艺在2019年才完全掌握，仅仅才追平2014年三星的工艺，2015年时期苹果6S正是使用的这项工艺，粗略一算中间就落后了将近5年时间。

另外，中芯在去年也采用了N+1的工艺，这是属于一个低功耗的芯片工艺，相比较之前的技术，N+1工艺全面提升了芯片20%的性能，降低功耗约60%。虽然相比较台积电的N10工艺性能相当，但是和非常强势的三星10LPE就差了一些。而且中芯负责人称N+1的工艺可以媲美7纳米芯片，虽然超过了台积电N10工艺和三星10LPE工艺的 10纳米芯片，但是并不能和7纳米芯片性能比较。

但是台积电的10纳米芯片是2017年左右的技术，而中芯国际的N+1今年还没有完全实现量产，中间仍然落后了4年以上的时间。并且N+1虽然较2017年的台积电10纳米芯片有领先，也只是综合来看有所领先，在一些方面还是有些不足。

据知情人士称，中芯国际正在研发N+2工艺，在2024后可以实现量产。但是在去年台积电已经可以量产5纳米芯片，3纳米芯片在2023年左右应该可以实现量产。而N+2工艺除非可以媲美3纳米芯片，不然在时间上仍然要落后5年，但是这种可能性微乎其微。

目前看来中芯和台积电还是有些差距，关于外界总拿中芯国际对标台积电，这次中芯国际CEO终于正面回应。前几天在中芯国际的股东大会上，中芯CEO赵海军被问到两家对比的问题他表示，每个公司客户的需求不一样，中芯现在通过20年前的设备仍然很好的服务客户，而且每年都出于盈利状态。

而且中芯的每个分公司，子公司都有各自的针对项目的任务，公司的投资也是根据现在的市场需求和未来的市场需求来决定的。很多行业40或者55nm的生产线就能满足他们的需求，那么我们就用最快的效率最优的产品最适合的价格满足他们的要求。赵海军表示：中芯国际会拿出更好的产品，也会让现有的产品越来越优秀，有信心在未来与全球最好的公司比较。而且有竞争才会有进步，中芯也不“虚”与台积电这样的公司相比。中芯国际CEO硬气回应！未来不“虚”台积电.

个人觉得台积电和中芯国际所针对的客户群体有些不同，不好作比较，比如台积电现在重点生产7纳米5纳米芯片，主要针对手机平板等家用电子产品。中芯国际现在可以量产的28纳米在自动驾驶，新能源汽车，通讯，轨道交通，卫星等等项目上都有广泛应用。我们认识到差距后，可以通过扎实地走好每一步来追赶差距，最重要的是，国内并不只靠中芯国际奋斗在芯片研发一线，现在国内上下一心在芯片领域奋起直追，相信这个差距会越来越小。